公开(公告)号：CN101297391B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200680039845.5

申请日：2006-08-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 古尔特杰·S·桑胡 ,  柯克·D·普拉尔

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/321 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67063 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32134

摘要： 在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物(175)。而在衬底(110)上形成心轴(145)，且接着使所述心轴(145)的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴(145)的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地移除所述未反应部分以留下独立式间隔物(175)的图案。所述独立式间隔物(175)可用作用于例如蚀刻所述衬底(110)的随后加工步骤的掩膜。

公开(公告)号：CN101297391A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200680039845.5

申请日：2006-08-28

申请人： 美光科技公司

发明人： 古尔特杰·S·桑胡 ,  柯克·D·普拉尔

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/321 ,  H01L21/308 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/67063 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/32134

摘要： 在不执行间隔物蚀刻的情况下形成间距倍增工艺中的间隔物(175)。而在衬底(110)上形成心轴(145)，且接着使所述心轴(145)的侧面在例如氧化、氮化或硅化步骤中反应以形成可相对于所述心轴(145)的未反应部分选择性地移除的材料。选择性地移除所述未反应部分以留下独立式间隔物(175)的图案。所述独立式间隔物(175)可用作用于例如蚀刻所述衬底(110)的随后加工步骤的掩膜。