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公开(公告)号：CN107124905B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201580056941.X
申请日：2015-08-11
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一些实施例包含一种装置，所述装置具有导电材料、含金属硫属化合物材料及位于所述含金属硫属化合物材料与所述导电材料之间的区域。所述区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙及在从约1.8到25的范围内的介电常数。一些实施例包含一种装置，所述装置具有第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的含金属硫属化合物材料。所述装置还包含位于所述含金属硫属化合物材料与所述第一电极及所述第二电极中的一者之间的电场修改区域。所述电场修改区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙、具有低介电常数及相对于所述含金属硫属化合物材料的金属的功函数偏移的低传导带。
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公开(公告)号：CN106463616B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580029162.0
申请日：2015-04-17
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L45/00 , C23C16/455
摘要： 一种形成存储器单元材料的方法包括：通过原子层沉积在衬底上方形成电介质材料的第一部分。通过原子层沉积在所述电介质材料的所述第一部分上形成离散导电粒子。通过原子层沉积在所述离散导电粒子上及之间形成所述电介质材料的第二部分。本发明还描述一种存储器单元材料、一种形成半导体装置结构的方法及一种半导体装置结构。
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公开(公告)号：CN110000161A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811615266.1
申请日：2018-12-27
申请人： 美光科技公司
摘要： 本申请案涉及用于清洁用于形成半导体装置的工具的组件及系统以及相关方法。一种清洁用于形成半导体装置的工具的方法包含：加热包括陶瓷材料的晶片以至少加热所述陶瓷材料；将所述经加热晶片定位于用于形成半导体装置的工具的静电卡盘上，使得位于接近所述经加热晶片处的沉积物被加热以将所述沉积物中的至少一些沉积物汽化；及从所述工具移除所述经汽化沉积物。揭示形成半导体装置的相关方法、相关系统及相关清洁晶片。
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公开(公告)号：CN109273444A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810948208.4
申请日：2014-07-22
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11514 , H01L27/1157 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L27/11597 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , G11C11/22
摘要： 本发明揭示一种存储器单元阵列，其中个别所述存储器单元包括包括隔离芯的垂直铁电场效晶体管构造。过渡金属二硫属化物材料围绕所述隔离芯且具有1个单层到7个单层的侧向壁厚度。铁电栅极电介质材料围绕所述过渡金属二硫属化物材料。导电栅极材料围绕所述铁电栅极电介质材料。所述过渡金属二硫属化物材料从所述导电栅极材料立面向内及立面向外延伸。导电接触件直接抵靠所述过渡金属二硫属化物材料的侧向外侧壁，所述过渡金属二硫属化物材料为：a)从所述导电栅极材料立面向内，或b)从所述导电栅极材料立面向外。本发明还揭示额外实施例。
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公开(公告)号：CN104303301B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380023984.9
申请日：2013-05-07
申请人： 美光科技公司
发明人： 古尔特杰·S·桑胡
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1253 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0016 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/17 , G11C2213/18 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16
摘要： 本发明描述切换装置结构及方法。切换装置可包含包括形成于第一电极与第二电极之间的材料的竖直堆叠。所述切换装置可进一步包含第三电极，所述第三电极耦合到所述竖直堆叠且经配置以接收施加到第三电极的电压以控制在所述第一电极与所述第二电极之间的所述材料中的导电路径的形成状态，其中所述导电路径的所述形成状态可在接通状态与关断状态之间切换。
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公开(公告)号：CN103765595B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280041260.2
申请日：2012-08-21
申请人： 美光科技公司
发明人： 古尔特杰·S·桑胡
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4908 , B82Y10/00 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/401 , H01L29/42372 , H01L29/42392 , H01L29/49 , H01L29/66666 , H01L29/66795 , H01L29/66969 , H01L29/7827 , H01L29/785 , H01L29/7855 , H01L29/78642 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上，所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体，所述第一栅极导体包括上覆于所述第一栅极绝缘体上的石墨烯。所述栅极导体可包括呈一个或一个以上单层的石墨烯。本发明还揭示一种用于制作所述半导体装置结构的方法；一种包含具有所述所揭示结构的半导体装置的垂直晶体管装置阵列；及一种用于制作所述垂直晶体管装置阵列的方法。
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公开(公告)号：CN103597599B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280024046.6
申请日：2012-05-02
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/161 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 本发明揭示自旋力矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包括：环状STT堆叠，所述环状STT堆叠包含介于第一铁磁材料与第二铁磁材料之间的非磁性材料；及包围所述环状STT堆叠的至少一部分的软磁性材料。
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公开(公告)号：CN103703564B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280036892.X
申请日：2012-06-27
申请人： 美光科技公司
发明人： 古尔特杰·S·桑胡 , D·V·尼马尔·拉马斯瓦米
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/0416 , G11C16/3418 , H01L21/28273 , H01L29/788
摘要： 一些实施例包含存储器单元，所述存储器单元具有沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的载流子捕获材料及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的导电电极材料；其中所述载流子捕获材料包含镓、铟、锌及氧。一些实施例包含存储信息的方法。提供一种存储器单元，所述存储器单元具有沟道支撑材料、所述沟道支撑材料上方的介电材料、所述介电材料上方的载流子捕获材料及所述载流子捕获材料上方且直接抵靠于所述载流子捕获材料的导电电极材料；其中所述载流子捕获材料包含镓、铟、锌及氧。确定是否在所述载流子捕获材料中捕获载流子以借此确认所述存储器单元的存储器状态。
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公开(公告)号：CN102971844B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201180032068.2
申请日：2011-06-21
申请人： 美光科技公司
发明人： 永俊·杰夫·胡 , 埃弗里特·A·麦克蒂尔 , 约翰·A·斯迈思三世 , 古尔特杰·S·桑胡
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/3467 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/088 , C23C14/3407 , C23C14/3485 , C23C14/35 , H01J37/3417 , H01J37/3426 , H01J2237/3322 , H01L21/02192 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要： 本文中阐述使用高功率脉冲磁控管溅镀法形成存储器。一个或一个以上方法实施例包含使用高功率脉冲磁控管溅镀法HIPIMS在结构上形成电阻式存储器材料，其中所述电阻式存储器材料是在具有大约400℃或400℃以下的温度的环境中在所述结构上形成。
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公开(公告)号：CN102763219B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180009465.8
申请日：2011-01-25
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/7841 , G11C11/565 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/0629 , H01L28/40 , H01L29/792
摘要： 一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来表征的不同组成。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的另一者更靠近所述对电极中的一者。所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述另一者比所述半导电材料及所述势垒电介质材料中的所述一者更靠近所述对电极中的另一者。本发明还揭示其它实施方案，包含场效应晶体管、存储器阵列及方法。
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