发明公开
CN101312116A 结晶装置以及结晶方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 结晶装置以及结晶方法
- 专利标题(英): Crystallization device and method
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申请号: CN200710163149.1申请日: 2007-10-10
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公开(公告)号: CN101312116A公开(公告)日: 2008-11-26
- 发明人: 秋田典孝 , 高见芳夫
- 申请人: 株式会社岛津制作所
- 申请人地址: 日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地
- 专利权人: 株式会社岛津制作所
- 当前专利权人: 株式会社岛津制作所
- 当前专利权人地址: 日本京都府京都市中京区西之京桑原町1番地
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张华辉
- 优先权: 2007-134185 2007.05.21 JP
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00 ; H01L21/02 ; H01L21/268 ; H01L21/20 ; H01L21/336 ; B23K26/00 ; B23K26/06
摘要:
本发明提供一种结晶装置,在此结晶装置中,可以使转印到被处理基板上的由光调制元件或金属光圈所形成的光强度分布可视。此结晶装置具有紫外光照射系统以及可见光照射系统,此紫外光照射系统将紫外光区的激光束脉冲照射到被处理基板上,此可见光照射系统对被处理基板上的与紫外光区的激光束的照射区域相同的照射区域,连续照射可见光激光束。在因均匀地照射紫外光区的激光束而熔化的区域中,利用可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。结晶装置通过脉冲照射紫外光区的激光束来使被处理基板熔化,并通过连续地照射可见光激光束来使被处理基板结晶化,由此二种方式的组合,使进行结晶处理的激光束可视化。
IPC分类: