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公开(公告)号：CN101312116A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710163149.1
申请日：2007-10-10
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/0613 , B23K26/066 , H01L21/02381 , H01L21/02675 , Y10T117/1004
摘要： 本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，可以使转印到被处理基板上的由光调制元件或金属光圈所形成的光强度分布可视。此结晶装置具有紫外光照射系统以及可见光照射系统，此紫外光照射系统将紫外光区的激光束脉冲照射到被处理基板上，此可见光照射系统对被处理基板上的与紫外光区的激光束的照射区域相同的照射区域，连续照射可见光激光束。在因均匀地照射紫外光区的激光束而熔化的区域中，利用可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。结晶装置通过脉冲照射紫外光区的激光束来使被处理基板熔化，并通过连续地照射可见光激光束来使被处理基板结晶化，由此二种方式的组合，使进行结晶处理的激光束可视化。
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公开(公告)号：CN1983513A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610064101.0
申请日：2006-12-15
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心 , 株式会社岛津制作所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/08
CPC分类号： B23K26/043 , B23K26/04 , B23K26/0622 , B23K26/066 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , H01L27/1285
摘要： 提供一种具有高产量的激光结晶装置和结晶方法。具有预定光强度分布的激光照射至半导体膜上以熔化和结晶，其中以高定位精度非常快地定位照射位置，由此形成具有大晶粒尺寸的半导体膜。根据本发明的一个方面的激光结晶装置包括结晶激光光源(21)、调制激光以提供预定的光强度分布的移相器(24)，设置在基板(30)上的标记(35)，沿预定方向移动的基板固定台(40)，测量标记(35)通过预定位置的时间的标记测量装置(60)，以及根据该测量时间产生指示照射激光的触发信号的信号产生装置(70)。
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公开(公告)号：CN1983511A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610064040.8
申请日：2006-12-15
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心 , 株式会社岛津制作所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06 , B23K26/08
CPC分类号： B23K26/04 , B23K26/043 , B23K26/0608 , B23K26/0622 , B23K26/0676 , H01L21/02686 , H01L21/2026
摘要： 提供一种具有高产量的激光结晶装置和结晶方法。具有预定光强度分布的激光照射至半导体膜上以熔化和结晶，其中以高定位精度非常快地设置照射位置，由此形成具有大晶粒尺寸的半导体膜。根据本发明的一个方面的激光结晶装置包括结晶激光光源(21)、将脉冲激光调制为具有预定光强度分布的移相器(24)、准分子成像光学系统(26)、安装处理基板(30)且沿着预定方向连续移动的基板保持台(40)、位置测量装置(50)以及基于通过位置测量装置(50)测量的平台(40)的位置指示脉冲激光的产生的信号产生装置(60)。
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公开(公告)号：CN116075719A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180056153.6
申请日：2021-03-12
申请人： 株式会社岛津制作所
发明人： 高见芳夫
IPC分类号： G01N27/82
摘要： 钢丝绳检查装置(100)具备第一探测线圈(30)、第二探测线圈(40)以及处理部(61)。第二探测线圈被配置为从与第一探测线圈相对于钢丝绳(W)进行相对移动的第一方向(Z方向)正交的方向(X方向)来看相对于第一探测线圈倾斜。处理部基于第一探测线圈所探测到的探测信号来获取钢丝绳在第一方向上的异常位置，并且基于第二探测线圈所探测到的探测信号来获取在截面内的、钢丝绳的异常位置的区域。
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公开(公告)号：CN103674974A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310203802.8
申请日：2013-05-27
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： G01N21/95
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明是有关于一种检查装置，即便在防反射膜的膜厚不均的情形时也可高精度地进行缺陷检测。该外观检查装置(检查装置)包括：照明部，构成为能以具有互不相同的波长区域的多种照明色照射照明光；摄像部，使用照明光拍摄太阳能电池单元；以及控制部，针对多种照明色的每一种而获得太阳能电池单元的摄像图像，并且根据太阳能电池单元对各种照明色的照明光的反射强度或防反射膜的膜厚，而从各种照明色的摄像图像中选择用于检查的图像，并基于所选择的摄像图像对太阳能电池单元进行检查。
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公开(公告)号：CN102983089A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210184156.0
申请日：2012-05-29
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N2021/8845
摘要： 本发明是有关于一种太阳电池单元检查装置，可在相同的位置，同时对反射影像与透射影像进行拍摄。太阳电池单元检查装置包括向半导体晶圆的第一面照射可见光的第一照射部；接收半导体晶圆所反射的可见光以取得半导体晶圆的反射影像的第一拍摄部；向与半导体晶圆的第一面相向的第二面照射红外光的第二照射部；接收透过半导体晶圆的红外光以取得半导体晶圆的透射影像的第二拍摄部；基于反射影像及透射影像，判定半导体晶圆是否存在缺陷的判定部。上述太阳电池单元检查装置的特征在于：包括配置在第一拍摄部及第二拍摄部之间的分束器。
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公开(公告)号：CN101312117A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710163150.4
申请日：2007-10-10
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/06
CPC分类号： B23K26/067 , B23K26/0613 , H01L21/02675 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，提供可以获得高能量密度的输出的可见光源。可见光照射系统是由二维阵列排列的多个可见光激光束源形成的。可见光照射系统包括：光强度分布形成装置，使从各可见光激光束源发出的多道可见光激光束的光强度分布图案化；以及成像光学系统，使经所述光强度分布形成装置图案化的光强度分布的光，成像在被处理基板上的照射区域中。将多个固体激光器或半导体激光器发出的各可见激光束，重叠到符合被处理基板与光轴上的成像位置关系的光强度分布形成装置。当重叠准分子激光束与可见光激光束时，重叠从多个可见光的激光束源发出的多道可见光激光束，借由重叠所述可见光激光束所形成的可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。
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公开(公告)号：CN112888939B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201880098772.X
申请日：2018-10-16
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： G01N27/72
摘要： 该磁性体管理系统(100)具备：第一磁性体检查装置(1)，其在磁性体(MM)被设置于使用场所之前获取探测信号(DS)；与第一磁性体检查装置(1)相同方式的第二磁性体检查装置(2)，其在磁性体(MM)被设置于使用场所之后获取探测信号(DS)；服务器(3)；第一发送部(4)以及第二发送部(5)，其中，服务器(3)至少基于第一磁性体信息(10)和第二磁性体信息(11)来估计磁性体(MM)的劣化状态。
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公开(公告)号：CN112888939A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201880098772.X
申请日：2018-10-16
申请人： 株式会社岛津制作所
IPC分类号： G01N27/72
摘要： 该磁性体管理系统(100)具备：第一磁性体检查装置(1)，其在磁性体(MM)被设置于使用场所之前获取探测信号(DS)；与第一磁性体检查装置(1)相同方式的第二磁性体检查装置(2)，其在磁性体(MM)被设置于使用场所之后获取探测信号(DS)；服务器(3)；第一发送部(4)以及第二发送部(5)，其中，服务器(3)至少基于第一磁性体信息(10)和第二磁性体信息(11)来估计磁性体(MM)的劣化状态。
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