发明公开
- 专利标题: 直拉式单晶生长炉
- 专利标题(英): Vertical pulling type single crystal growth furnace
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申请号: CN200810122724.8申请日: 2008-06-26
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公开(公告)号: CN101319352A公开(公告)日: 2008-12-10
- 发明人: 冉茂华
- 申请人: 常州中弘光伏有限公司
- 申请人地址: 江苏省常州市武进区高新技术产业开发区南区
- 专利权人: 常州中弘光伏有限公司
- 当前专利权人: 常州中弘光伏有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省常州市武进区高新技术产业开发区南区
- 代理机构: 常州市江海阳光专利代理有限责任公司
- 代理商 林倩
- 主分类号: C30B15/00
- IPC分类号: C30B15/00 ; C30B27/02
摘要:
为减少直拉式单晶生长炉的氩气消耗的技术问题,本发明提供了一种直拉式单晶生长炉,其包括:氩气输入管、与氩气输入管相连通的环形气体分布器;其特征在于:经氩气输入管输入的氩气气压为0.8×103Pa至0.9×103Pa,氩气流量为30L/min。还包括设于坩埚支持器下方和排气口之间的碗形气流导向装置;其包括:中轴孔、一对电极孔、以及与排气口相对的通气孔;石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔,所述电极柱分别穿过所述电极孔,排气口与气流导向装置的各通气孔相连通,气流导向装置的上端部设于保温筒与发热体之间。
公开/授权文献
- CN101319352B 直拉式单晶生长炉 公开/授权日:2010-06-02
IPC分类: