发明公开
CN101323427A 一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法
- 专利标题(英): Method for preparing silicon micro-suspension girder leadless piezoelectric thick film executor
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申请号: CN200810047178.6申请日: 2008-03-28
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公开(公告)号: CN101323427A公开(公告)日: 2008-12-17
- 发明人: 张海波 , 姜胜林 , 曾亦可 , 范茂彦 , 谢甜甜
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 曹葆青
- 主分类号: B81C1/00
- IPC分类号: B81C1/00 ; B01F3/08
摘要:
本发明公开了一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法,包括:①硅片清洗,生长二氧化硅和氮化硅层;②刻蚀硅片背面腐蚀窗口后刻蚀硅微桥;③采用剥离工艺制备Pt/Ti下电极;④印刷法制备无铅压电厚膜并进行抛光;⑤沉积Au上电极并对其湿法刻蚀,最后去掉微桥一端得到悬梁。本发明的优点是:结构、工艺简单,低的驱动电压,更大的位移,响应速率快,谐振频率高;采用致密的无铅压电膜,无毒环保,符合当前电子材料与器件的发展趋势;用途广泛,可用作各种微夹持、驱动的执行部件,改变尺寸参数也可用于微传感器。
公开/授权文献
- CN101323427B 一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法 公开/授权日:2010-12-29