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公开(公告)号：CN101323427A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810047178.6
申请日：2008-03-28
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法，包括：①硅片清洗，生长二氧化硅和氮化硅层；②刻蚀硅片背面腐蚀窗口后刻蚀硅微桥；③采用剥离工艺制备Pt/Ti下电极；④印刷法制备无铅压电厚膜并进行抛光；⑤沉积Au上电极并对其湿法刻蚀，最后去掉微桥一端得到悬梁。本发明的优点是：结构、工艺简单，低的驱动电压，更大的位移，响应速率快，谐振频率高；采用致密的无铅压电膜，无毒环保，符合当前电子材料与器件的发展趋势；用途广泛，可用作各种微夹持、驱动的执行部件，改变尺寸参数也可用于微传感器。
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公开(公告)号：CN1927766A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610124643.2
申请日：2006-09-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/493 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种制备热释电陶瓷的方法，包括：①将MgO和Nb2O5按质量比1∶1混合均匀，保温合成MgNb2O6；②根据化学式Pb1+d[(ZrxTi1－x)1－y(Mg1/3Nb2/3)y]O3+z at％Mn，0.65≤x≤0.95，0≤y≤0.3，0≤d≤0.1，0≤z≤5，将MgNb2O6与PbO、ZrO2、TiO2和Mn(NO3)2溶液混合，Mn(NO3)2溶液的质量浓度为2％；③将混合物预烧后进行粉碎、过筛、预成型和成型，再保温烧结，烧结采用双坩埚密封气氛叠烧，使烧结过程在饱和铅气氛中进行；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、被银和烧电极；⑤将材料放在100～120℃硅油中加3～5KV/mm电场极化15～30分钟，然后保压冷却至室温。本发明以Mn(NO3)2溶液的形式进行了有效的锰掺杂，制备出的PMN－PZT热释电陶瓷具有高的热释电系数，低的介电损耗和合适的介电常数，具有良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN100503515C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710052746.7
申请日：2007-07-13
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/632
摘要： 本发明公开了一种制备功能陶瓷材料的方法，包括：①配置好含有有机单体、交联剂、引发剂、分散剂和陶瓷粉料的悬浮液；②加入催化剂，将浆料注入到环状金属模具中原位固化，即得到大尺寸陶瓷的湿坯；③将坯体脱模后，放入网状夹具中，再将夹具放入恒温恒湿箱中干燥，若干天后放入烘箱中干燥；④将干燥好的坯体在一定升温制度下排胶，并在高温烧结成瓷。本发明制备出大尺寸高性能铌锌酸铅—锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸锶钡系热释电陶瓷、铌锰酸铅—锑锰酸铅—锆钛酸铅系热释电陶瓷。
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公开(公告)号：CN101323427B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810047178.6
申请日：2008-03-28
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L41/08
摘要： 本发明公开了一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法，包括：①硅片清洗，生长二氧化硅和氮化硅层；②刻蚀硅片背面腐蚀窗口后刻蚀硅微桥；③采用剥离工艺制备Pt/Ti下电极；④印刷法制备无铅压电厚膜并进行抛光；⑤沉积Au上电极并对其湿法刻蚀，最后去掉微桥一端得到悬梁。本发明的优点是：结构、工艺简单，低的驱动电压，更大的位移，响应速率快，谐振频率高；采用致密的无铅压电膜，无毒环保，符合当前电子材料与器件的发展趋势；用途广泛，可用作各种微夹持、驱动的执行部件，改变尺寸参数也可用于微传感器。
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公开(公告)号：CN101333109B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810048368.X
申请日：2008-07-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法，包括：①根据化学式Pb[(Mn0.33Nb0.67)0.5(Mn0.33Sb0.67)0.5]0.08(ZrxTi1-x)0.92O3，其中，x表示Zr与Ti之间的摩尔分数比，0.80≤x≤0.98，在x的取值范围内选取二个不同的值，将PbO、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Sb2O3粉体和Mn(NO3)2按各自化学式中的化学计量比进行混合，得到二种混合物；②将二种混合物分别在800～900℃保温4～6小时，得到预烧粉体；③将上述预烧粉体作为基料，按质量比1∶2～2∶1进行混合，将粉体成型后，在1250～1300℃保温2～3h进行烧结；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、上电极和烧电极；⑤将烧电极后的材料进行极化，然后保压冷却到室温。本发明制备的混合PMN-PMS-PZT热释电陶瓷在较宽的温度范围内具有较高的热释电系数，良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN100366576C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610124643.2
申请日：2006-09-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/493 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种制备热释电陶瓷的方法，包括：①将MgO和Nb2O5按质量比1∶1混合均匀，保温合成MgNb2O6；②根据化学式Pb1+d[(ZrxTi1-x)1-y(Mg1/3Nb2/3)y]O3+z at%Mn，0.65≤x≤0.95，0.15≤y≤0.3，0≤d≤0.1，1.0≤z≤5.0，将MgNb2O6与PbO、ZrO2、TiO2和Mn(NO3)2溶液混合，Mn(NO3)2溶液的质量浓度为2%；③将混合物预烧后进行粉碎、过筛、预成型和成型，再保温烧结，烧结采用双坩埚密封气氛叠烧，使烧结过程在饱和铅气氛中进行；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、被银和烧电极；⑤将材料放在100～120℃硅油中加3～5KV/mm电场极化15～30分钟，然后保压冷却至室温。本发明以Mn(NO3)2溶液的形式进行了有效的锰掺杂，制备出的PMN-PZT热释电陶瓷具有高的热释电系数，低的介电损耗和合适的介电常数，具有良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN101333109A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810048368.X
申请日：2008-07-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种宽温区相变型热释电陶瓷材料的制备方法，包括：①根据化学式Pb[(Mn0.33Nb0.67)0.5(Mn0.33Sb0.67)0.5]0.08(ZrxTi1－x)0.92O3，其中，x表示Zr与Ti之间的摩尔分数比，0.80≤x≤0.98，在x的取值范围内选取二个不同的值，将PbO、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Sb2O3粉体和Mn(NO3)2按各自化学式中的化学计量比进行混合，得到二种混合物；②将二种混合物分别在800～900℃保温4～6小时，得到预烧粉体；③将上述预烧粉体作为基料，按质量比1∶2～2∶1进行混合，将粉体成型后，在1250～1300℃保温2～3h进行烧结；④将烧结后的材料进行磨片、清洗、上电极和烧电极；⑤将烧电极后的材料进行极化，然后保压冷却到室温。本发明制备的混合PMN－PMS－PZT热释电陶瓷在较宽的温度范围内具有较高的热释电系数，良好综合热释电性能，符合制作热释电红外探测器的要求。
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公开(公告)号：CN101125757A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710052746.7
申请日：2007-07-13
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/632
摘要： 本发明公开了一种制备功能陶瓷材料的方法，包括：①配置好含有有机单体、交联剂、引发剂、分散剂和陶瓷粉料的悬浮液；②加入催化剂，将浆料注入到环状金属模具中原位固化，即得到大尺寸陶瓷的湿坯；③将坯体脱模后，放入网状夹具中，再将夹具放入恒温恒湿箱中干燥，若干天后放入烘箱中干燥；④将干燥好的坯体在一定升温制度下排胶，并在高温烧结成瓷。本发明制备出大尺寸高性能铌锌酸铅－锆钛酸铅压电陶瓷、钛酸锶钡系热释电陶瓷、铌锰酸铅－锑锰酸铅－锆钛酸铅系热释电陶瓷。
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