发明公开
- 专利标题： 半导体器件的制造方法以及半导体器件
- 专利标题（英）： Semiconductor device having oxidized metal film and manufacture method of the same
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申请号： CN200810125628.9申请日： 2006-01-23
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公开(公告)号： CN101350340A公开(公告)日： 2009-01-21
- 发明人: 坂田敦子 , 和田纯一 , 尾本诚一 , 羽多野正亮 , 山下创一 , 东和幸 , 中村直文 , 山田雅基 , 木下和哉 , 坚田富夫 , 莲沼正彦
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 段承恩; 杨光军
- 优先权： 014453/2005 2005.01.21 JP; 009978/2006 2006.01.18 JP
- 分案原申请号： 2006100739216
- 主分类号： H01L23/532
- IPC分类号： H01L23/532 ; H01L21/768 ; H01L21/316 ; H01L21/285
摘要：
本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
公开/授权文献
- CN101350340B 半导体器件的制造方法以及半导体器件 公开/授权日：2013-09-18
IPC分类:
