公开(公告)号：CN1309025C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410029643.5

申请日：2004-03-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 莲沼正彦 ,  旗崎晃次

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/3185 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一层第一绝缘膜，形成在半导体衬底上并具有3.8或更低的相对介电常数，至少在半导体衬底的四个角附近，第一绝缘膜的整个层被沿四个角延伸的缺少部分分开；以及第二绝缘膜，覆盖半导体衬底的中心侧的缺少部分中第一绝缘膜的整个层的侧面，并具有超过3.8的相对介电常数。

公开(公告)号：CN1670953A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510005674.1

申请日：2005-01-17

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中村直文 ,  松永范昭 ,  伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  西冈岳

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L27/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体装置包括设置在半导体基片上的第一绝缘层。第一绝缘层包括基本由具有相对介电常数小于3的材料构成的一薄层。第一绝缘层包括由孔塞和导线构成的第一整体的结构。导线的上表面与第一绝缘层的上表面齐平，而孔塞的下表面则与第一绝缘层的下表面齐平。区域保护部件由孔塞和导线构成的第二整体的结构形成。第二整体结构从第一绝缘层的上表面延伸到第一绝缘层的下表面。区域保护部件包围着在水平平面上的边界区分隔的第一到第n区(n是自然数2或更大)中一个区。

公开(公告)号：CN1534733A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410029643.5

申请日：2004-03-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 莲沼正彦 ,  旗崎晃次

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/3185 ,  H01L21/78 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；至少一层第一绝缘膜，形成在半导体衬底上并具有3.8或更低的相对介电常数，至少在半导体衬底的四个角附近，第一绝缘膜的整个层被沿四个角延伸的缺少部分分开；以及第二绝缘膜，覆盖半导体衬底的中心侧的缺少部分中第一绝缘膜的整个层的侧面，并具有超过3.8的相对介电常数。

公开(公告)号：CN100463163C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610101719.X

申请日：2006-07-07

申请人： 株式会社东芝

发明人： 莲沼正彦 ,  伊藤祥代

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种半导体器件，包括：多个层间介电膜，层叠并设置在衬底上方的多个层中；至少一个第一导体，设置在所述层叠层间介电膜的至少一个层间介电膜中；以及多个第二导体，设置在其中设置有所述第一导体的所述层间介电膜中，并被连接至所述第一导体的下表面，以及以这样的方式沿从所述第一导体向下的方向延伸并沿第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向进一步延伸，以便互相间隔，从而形成网格形状。

公开(公告)号：CN1770423A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510105721.X

申请日：2005-09-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  伊藤祥代 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76838 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/165

摘要： 根据本发明的一个方面的半导体器件的制造方法包括：在其表面具有凹槽部分的衬底上形成镀膜，以通过镀敷方法填埋所述凹槽部分；在所述镀膜上形成压应力施加膜，所述压应力施加膜由具有与构成所述镀膜的金属的热膨胀系数相比 60％或更小的热膨胀系数的材料构成；热处理，通过所述压应力施加膜向所述镀膜施加压应力；以及去除所述压应力施加膜和没有填埋在所述凹槽部分中的所述镀膜。

公开(公告)号：CN1667813A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510053695.0

申请日：2005-03-10

申请人： 株式会社东芝

发明人： 伊藤祥代 ,  莲沼正彦

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上第一绝缘层，该第一绝缘层包括第一绝缘材料、第二绝缘材料和孔，其中第一绝缘材料的相对介电常数是3或更小，第一绝缘材料的杨氏模量是10GPa或更小，第一绝缘材料的线性膨胀系数大于30×10－6℃－1，以及第二绝缘材料的线性膨胀系数是30×10－6℃－11或更小；以及形成在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层具有连接到所述孔的沟槽，其中与所述孔相距6μm内的第一绝缘层的线性膨胀系数α是30×10－6℃－1或更小，其中：，vi和αi是第i种绝缘材料的体积比和线性膨胀系数。

公开(公告)号：CN1472776A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03147531.0

申请日：2003-07-09

申请人： 株式会社东芝

发明人： 伊藤祥代 ,  伊藤正光 ,  莲沼正彦

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/09

CPC分类号： G03F1/32

摘要： 由基板；基板上选择性形成的半透明膜；以及半透明膜上选择性形成的遮光膜构成的光掩模，将基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2，各自的厚度(m)设为d0、d1、d2，半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2，在没有形成遮光膜的区域的半透明膜被覆率设为h，假设系数k1到k4分别为k1＝1.3×10－8，k2＝－9.5×10－2，k3＝6.0×10－7，k4＝－5.2×10－2，则满足：≤1.4×10-4(m-1)的条件。

公开(公告)号：CN101074485B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200710092331.2

申请日：2007-02-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  莲沼正彦

IPC分类号： C25D7/12 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： 一种制造电子部件的方法，包括在基体上方形成籽晶膜，冷却所述籽晶膜，以及将所述冷却的籽晶膜放入镀敷溶液中以利用所述籽晶膜作为阴极进行电镀。

公开(公告)号：CN100477158C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610073921.6

申请日：2006-01-23

申请人： 株式会社东芝

发明人： 坂田敦子 ,  和田纯一 ,  尾本诚一 ,  羽多野正亮 ,  山下创一 ,  东和幸 ,  中村直文 ,  山田雅基 ,  木下和哉 ,  坚田富夫 ,  莲沼正彦

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/31616 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/482 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。

公开(公告)号：CN1306591C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510053695.0

申请日：2005-03-10

申请人： 株式会社东芝

发明人： 伊藤祥代 ,  莲沼正彦

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上第一绝缘层，该第一绝缘层包括第一绝缘材料、第二绝缘材料和孔，其中第一绝缘材料的相对介电常数是3或更小，第一绝缘材料的杨氏模量是10GPa或更小，第一绝缘材料的线性膨胀系数大于30×10-6℃-1，以及第二绝缘材料的线性膨胀系数是30×10-6℃-1或更小；以及形成在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层具有连接到所述孔的沟槽，其中与所述孔相距6μm内的第一绝缘层的线性膨胀系数α是30×10-6℃-1或更小，其中：vi和αi是第i种绝缘材料的体积比和线性膨胀系数。