- 专利标题: 用于离子植入均匀度的离子束扫描控制方法及系统
- 专利标题(英): Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity
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申请号: CN200780013079.X申请日: 2007-04-10
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公开(公告)号: CN101421814A公开(公告)日: 2009-04-29
- 发明人: 维克托·本维尼斯特 , 爱德华·艾斯纳 , 波·范德贝里
- 申请人: 艾克塞利斯科技公司
- 申请人地址: 美国马萨诸塞州
- 专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人: 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人地址: 美国马萨诸塞州
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王新华
- 优先权: 60/790,751 2006.04.10 US
- 国际申请: PCT/US2007/008784 2007.04.10
- 国际公布: WO2007/120623 EN 2007.10.25
- 进入国家日期: 2008-10-10
- 主分类号: H01J37/304
- IPC分类号: H01J37/304 ; H01J37/317 ; G21K5/10
摘要:
本发明的实施例是关于一种用于调整被扫描离子射束的带状射束通量的方法。于此方法中,会以一扫描速率来扫描离子射束,而且会在扫描该离子射束时来测量多个动态射束轮廓。经修正的扫描速率会依据该被扫描离子射束的该多个经测量动态射束轮廓而被算出。该离子射束会以该经校正的扫描速率来扫描,以便产生经修正的带状离子射束。本发明还揭示其它方法与系统。
公开/授权文献
- CN101421814B 用于离子植入均匀度的离子束扫描控制方法及系统 公开/授权日:2012-12-26