公开(公告)号：CN118888434A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411337160.5

申请日：2024-09-25

申请人： 艾恩(山东)半导体科技有限公司

发明人： 李更兰 ,  杨晓琳

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01J37/304

摘要： 本申请涉及半导体离子注入控制技术领域，具体为一种基于图形的晶圆离子注入控制方法和系统；为解决现有晶圆离子注入过程中方法工艺复杂，成本高和灵活性差的问题，本申请首先根据离子剂量注入信息以及晶圆尺寸绘制图形，生成离子剂量注入图形；然后，从离子剂量注入图形中提取一维信号数据，得到离子注入路径信号；最后，根据离子注入路径信号，控制晶圆竖直作垂直方向运动时，在固定高度上通过离子束水平扫描晶圆将离子覆盖到晶圆上，精确控制离子注入剂量，保证离子注入的均匀性；该方法运用在芯片制作领域中，成本低，可操作性强，灵活性好，在提高芯片的良品率的基础上，能够提高生产效率。

公开(公告)号：CN114999878B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202110224815.8

申请日：2021-03-01

申请人： 中国科学院化学研究所

发明人： 何圣贵 ,  魏龚平 ,  任熠 ,  刘清宇

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/304

摘要： 本发明公开了一种气相离子分子反应装置及反应方法，该反应装置包括：反应容器单元，其前后两端分别设置有用于离子与气体排出的出口小孔以及离子引入与气体排出的入口小孔；离子约束单元，安装于反应容器单元内部，配置为通过施加合适的电场，实现高气压下气相离子的约束与传输；气体引入单元，安装于反应容器单元的外侧壁上，配置为用于引入低压气体以约束气相离子以及高压气体与气相离子发生离子分子反应；快速开关单元，安装于反应容器单元出入口小孔外侧，配置为控制反应容器单元的出入口小孔的快速开启与关闭。该反应装置解决了现有离子分子反应器中无法同时实现高反应气压、长反应时间条件的问题。

公开(公告)号：CN118197888A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410146930.1

申请日：2024-02-01

申请人： 北京烁科中科信电子装备有限公司

发明人： 陆鹏宇 ,  王振辉 ,  王肇龙 ,  李进 ,  李士会 ,  陈辉

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304 ,  H01J37/147

摘要： 本发明公开了一种用于离子注入机的电偏转透镜调控方法及系统，方法包括步骤：分析确定离子注入机的电偏转透镜的控制参数；获取不同数值控制参数下的各电极电压，并将各电极电压与预设阈值进行对比；如果各电极电压均位于预设阈值内，则判断各控制参数的数值合格，再根据各控制参数数值来设置各个电源电压；如果各电极电压不在预设阈值内，则调整各控制参数的数值直至各电极电压均位于预设阈值内，再根据调整后的控制参数数值来设置各个电源电压。本发明将各电极电压设置到尽可能低的情况下完成对束流的偏转，减少打火发生可能性。

公开(公告)号：CN113228221B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201980086605.8

申请日：2019-12-06

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： J-G·C·范德托恩

IPC分类号： H01J37/147 ,  H01J37/304

摘要： 公开了在多射束设备中观察样品的系统和方法。多射束设备可以包括偏转器阵列，其被配置为将多个束波中的个体束波进行控向，该偏转器阵列中的每个偏转器具有对应的驱动器，其被配置为接收用于对对应的个体束波进行控向的信号。该设备还可以包括：具有电路装置的控制器，其用于获取样品的轮廓数据并且通过基于所获取的轮廓数据向对应的驱动器提供信号来控制每个偏转器；以及控向电路装置，包括：对应的驱动器，其被配置为生成驱动信号；对应的补偿器，其被配置为接收该驱动信号和来自与相邻偏转器相关联的其他相邻驱动器的一组驱动信号，并且基于驱动信号和该组驱动信号来生成补偿信号以补偿对应的偏转器。

公开(公告)号：CN111863576B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910340903.7

申请日：2019-04-25

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  上海临港凯世通半导体有限公司

发明人： 张劲 ,  陈炯 ,  夏世伟

IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/317

摘要： 本发明公开了一种离子束能量控制装置。其包括：入口端和出口端，所述入口端供离子束射入，所述出口端供离子束射出；若干电极对，每个电极对分别包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均为棒状，所述第一电极和所述第二电极之间的空间供离子束通过；所述若干电极对中至少一电极对形成第一电极群，施加至所述第一电极群的电压使得离子束向第一方向偏转；所述若干电极对中至少一电极对形成第二电极群，施加至所述第二电极群的电压使得离子束向第二方向偏转，所述第二方向与所述第一方向反向。本发明的离子束能量控制装置在电极形状、电极布局、束流调节等方面均具有较多优点。

公开(公告)号：CN116246925A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310273357.6

申请日：2023-03-20

申请人： 北京烁科中科信电子装备有限公司

发明人： 曹华翔 ,  彭立波 ,  许波涛 ,  易镓 ,  罗南安 ,  熊国庆

IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种离子注入机的离子注入方法，包括步骤：1)在离子注入前，采用初始扫描电场控制束流在水平和垂直两个方向上进行扫描，并检测两个方向上的束流数据；2)根据两个方向上的束流数据得到对应方向上束斑位置与扫描电场值之间的关系和束斑宽度，进而得到各方向上的扫描电场大小范围；3)采用步骤2)得到扫描电场控制束流在两个方向上进行扫描，并检测两个方向上的束流数据；4)根据步骤3)得到的束流数据判断扫描电场在各个方向上是否覆盖整个工件；如是则进行离子注入。本发明在离子注入前实现扫描电场大小的精准确认，同时实现扫描范围和均匀性的检测，保障后续离子注入的精准可靠性，并且自动化程度高。

公开(公告)号：CN115910734A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211738269.0

申请日：2022-12-31

申请人： 上海凯世通半导体股份有限公司 ,  北京凯世通半导体有限公司

发明人： 窦入青 ,  洪俊华 ,  王宇琳 ,  李正华 ,  易庆洋 ,  陈克禄 ,  张长勇 ,  尹超 ,  李书晓

IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/304 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供一种改善高能离子注入机的离子注入均匀性的方法，其包括以下步骤：步骤S1：调整气体流量和灯丝电流，使得气体流量和灯丝电流满足高能离子注入机的离子注入需求；步骤S2：设定合适的萃取电压，匹配聚焦电压不超过45kv；步骤S3：根据最终能量及萃取电压，设定加速电压；步骤S4：设定分析磁体电流，控制所需电荷/质量比的离子转弯通过；步骤S5：展开束流至可以覆盖300毫米硅片的高度；步骤S6：调整束流的大小，角度，均匀度并完成最后进行离子注入。本发明可以实现更好的均匀性；可以较为合理的设定其工作电压，避免负载过大。

公开(公告)号：CN111816540B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202010872445.4

申请日：2020-08-26

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 范世炜

IPC分类号： H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265

摘要： 本发明提供一种离子注入方法，通过获取等离子电子喷淋装置的发射电流；然后，将所述等离子电子喷淋装置的发射电流与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述等离子电子喷淋装置的发射电流的状态；接着，采用发射电流为异常状态的等离子电子喷淋装置对一垫片执行离子注入工艺，以调整所述等离子电子喷淋装置的发射电流的大小；接着，通过调整后的所述等离子电子喷淋装置对半导体衬底执行离子注入工艺。由此，提高所述等离子电子喷淋装置的发射电流的稳定性，从而解决因等离子电子喷淋装置的稳定性较差而造成的离子注入异常的问题。

公开(公告)号：CN115376873A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202110541731.7

申请日：2021-05-18

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司

发明人： 胡冬冬 ,  李晓磊 ,  张瑶瑶 ,  刘小波 ,  石小丽 ,  张怀东 ,  陈璐 ,  许开东

IPC分类号： H01J37/08 ,  H01J37/304 ,  H01J37/305

摘要： 本发明涉及一种离子源装置及其使用方法和真空处理系统，装置包括一个核心的放电腔，其封闭端呈凹字形设置，沿着放电腔布设四组放电线圈，还包括为放电线圈提供射频功率的射频电源、射频匹配器，用来将功率分配至四组放电线圈的功率分配器，离子栅网系统为离子栅网提供电压的直流电源，中和器以及用于总体控制离子源运行的离子源控制器；放电腔与放电线圈组合在整个放电腔内部形成四个等离子体放电区域，通过组合不同的等离子放电区域，在不同的放电线圈上加载不同的射频功率来实现从放电腔轴心沿径向向外的不同位置的等离子密度；本申请通过调节功率分配实现放电腔内离子体密度的改变，进而保证离子束刻蚀工艺的均匀性。

公开(公告)号：CN115136277A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180015080.6

申请日：2021-02-03

申请人： 比埃勒阿尔策瑙有限公司

发明人： 斯特芬·盖特勒 ,  玛利奥·贝林格 ,  拉尔夫·斯佩林

IPC分类号： H01J37/22 ,  H01J37/304 ,  H01J37/305 ,  G01B11/06

摘要： 本发明关于一种用于原位离子束蚀刻速率或沉积速率测量的系统，其包含：一真空室；一离子束源，其被配置以将一离子束导引至位于该真空室内的一样品的一第一表面上，且以一蚀刻速率蚀刻该样品的该第一表面；或一材料源，其被配置为以一沉积速率将材料沉积至位于该真空室内的一样品的一第一表面上；及一干涉测量装置，其至少部分位于该真空室内且被配置以将光导引至该样品的一第二表面上，且基于自该样品反射的光来原位确定该离子束的该蚀刻速率或所沉积材料的该沉积速率。