Invention Grant
CN101441895B 存储器操作方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 存储器操作方法
-
Application No.: CN200810080532.5Application Date: 2008-02-21
-
Publication No.: CN101441895BPublication Date: 2011-12-28
- Inventor: 郭明昌
- Applicant: 旺宏电子股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Assignee: 旺宏电子股份有限公司
- Current Assignee: 旺宏电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 周国城
- Priority: 11/942,041 2007.11.19 US
- Main IPC: G11C16/34
- IPC: G11C16/34 ; H01L27/115
Abstract:
一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列步骤：首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平趋近于或等于设定位电平。
Public/Granted literature
- CN101441895A 存储器操作方法 Public/Granted day:2009-05-27
Information query
