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发明公开
CN101504948A 中空尖笔状结构与包含其的装置及其制造方法 失效 - 权利终止 转让

中空尖笔状结构与包含其的装置及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种中空尖笔状结构及其制造方法，以及包含其的相变化存储装置、磁阻式动态随机存取存储装置、电阻式动态随机存取存储装置、场发射显示装置、多电子束直写光刻装置、高密度磁储存装置、原子力显微装置、光刻装置、光子晶体结构及其制造方法。该中空尖笔状结构包括：中空柱状间隔物，位于一基础层上；以及中空锥状间隔物，堆叠于该中空柱状间隔物上，其中该中空锥状间隔物、该中空柱状间隔物与该基础层间形成一空室，而该中空柱状间隔物与该中空锥状间隔物的壁面包括含硅的有机或无机材料。
摘要（英）：

The invention discloses a hollow stylus-shaped structure, a method for manufacturing the structure, and phase change storage device, a magnetoresistive dynamic random access storage device, a resistance-type dynamic random access storage device, a field emission display device, a multi-electron-beam write-through photoetching device, a high-density magnetic storage device, an atomic force microscopic device, a photoetching device and a photonic crystal structure containing the hollow stylus-shaped structure, and a method for manufacturing the same. The hollow stylus-shaped structure comprises a hollow cylindrical spacer positioned on a base layer, and a hollow pyramidal spacer stacked on the hollow cylindrical spacer, wherein the hollow pyramidal spacer, the hollow cylindrical spacer and the base layer form a hollow chamber, and the wall surfaces of the hollow cylindrical spacer and the hollow pyramidal spacer comprise siliceous organic or inorganic materials.

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