发明授权
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
-
申请号: CN200880000415.1申请日: 2008-02-14
-
公开(公告)号: CN101542715B公开(公告)日: 2011-08-31
- 发明人: 舛冈富士雄 , 中村广记
- 申请人: 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 日本优尼山帝斯电子股份有限公司,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人: 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司,国立大学法人东北大学
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 陈立航
- 优先权: 143891/2007 2007.05.30 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/052450 2008.02.14
- 国际公布: WO2008/146505 JA 2008.12.04
- 进入国家日期: 2008-12-31
- 主分类号: H01L21/8238
- IPC分类号: H01L21/8238 ; H01L21/768 ; H01L21/82 ; H01L21/822 ; H01L23/522 ; H01L27/04 ; H01L27/08 ; H01L27/092 ; H01L29/41 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/49 ; H01L29/78 ; H01L29/786
摘要:
提供一种由使用了SGT的高集成且高速的至少两级以上的CMOS反相器耦合电路构成的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置由将n个(n为2以上)CMOS反相器耦合而成的CMOS反相器耦合电路构成,n个反相器各自具有pMOS SGT、nMOSSGT、以将pMOS SGT的栅极与nMOS SGT的栅极连接的方式进行布线的输入端子、以将pMOS SGT的漏极扩散层与nMOS SGT的漏极扩散层在岛状半导体下部层上连接的方式进行布线的输出端子、布线在pMOS SGT的源极扩散层上的pMOS SGT用的电源供给布线、以及布线在nMOS SGT的源极扩散层上的nMOSSGT用的电源供给布线,将第n-1个的输出端子与第n个的输入端子进行连接。
公开/授权文献
- CN101542715A 半导体装置 公开/授权日:2009-09-23