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公开(公告)号：CN101490837B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780026229.0
申请日：2007-07-12
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/11521 , G11C16/0416 , G11C16/10 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/7884 , H01L29/7889 , H01L29/7926
摘要： 本发明的课题为提供一种非易失性半导体存储器，其由利用了避免写入速度和读取速度的下降的岛状半导体层的侧壁的存储单元构成。为了解决上述课题，上述非易失性半导体存储器在半导体衬底上形成岛状半导体层，该岛状半导体层具有下列构成而组成非易失性半导体存储单元，即：漏极扩散层，其形成于岛状半导体层上部；源极扩散层，其形成于岛状半导体层下部；电荷蓄积层，其隔着栅极绝缘膜而形成于夹置在漏极扩散层和源极扩散层的侧壁的沟道区域上；以及控制栅极，其形成于电荷蓄积层上。将该非易失性半导体存储单元以阵列状排列且将连接于漏极扩散层的比特线布线于列方向，将控制栅极线布线于行方向，将连接于源极扩散层的源极线布线于列方向，其中，上述非易失性半导体存储器是按每规定数的控制栅极线形成连接于源极线的共用源极线，该共用源极线由金属形成，将该共用源极线布线于行方向。
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公开(公告)号：CN101490837A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026229.0
申请日：2007-07-12
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L27/11521 , G11C16/0416 , G11C16/10 , H01L27/11519 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L29/7884 , H01L29/7889 , H01L29/7926
摘要： 本发明的课题为提供一种非易失性半导体存储器，其由利用了避免写入速度和读取速度的下降的岛状半导体层的侧壁的存储单元构成。为了解决上述课题，上述非易失性半导体存储器在半导体衬底上形成岛状半导体层，该岛状半导体层具有下列构成而组成非易失性半导体存储单元，即：漏极扩散层，其形成于岛状半导体层上部；源极扩散层，其形成于岛状半导体层下部；电荷蓄积层，其隔着栅极绝缘膜而形成于夹置在漏极扩散层和源极扩散层的侧壁的沟道区域上；以及控制栅极，其形成于电荷蓄积层上。将该非易失性半导体存储单元以阵列状排列且将连接于漏极扩散层的比特线布线于列方向，将控制栅极线布线于行方向，将连接于源极扩散层的源极线布线于列方向，其中，上述非易失性半导体存储器是按每规定数的控制栅极线形成连接于源极线的共用源极线，该共用源极线由金属形成，将该共用源极线布线于行方向。
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公开(公告)号：CN101542715B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200880000415.1
申请日：2008-02-14
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/823885 , H01L27/1203 , H01L29/78642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种由使用了SGT的高集成且高速的至少两级以上的CMOS反相器耦合电路构成的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置由将n个(n为2以上)CMOS反相器耦合而成的CMOS反相器耦合电路构成，n个反相器各自具有pMOS SGT、nMOSSGT、以将pMOS SGT的栅极与nMOS SGT的栅极连接的方式进行布线的输入端子、以将pMOS SGT的漏极扩散层与nMOS SGT的漏极扩散层在岛状半导体下部层上连接的方式进行布线的输出端子、布线在pMOS SGT的源极扩散层上的pMOS SGT用的电源供给布线、以及布线在nMOS SGT的源极扩散层上的nMOSSGT用的电源供给布线，将第n-1个的输出端子与第n个的输入端子进行连接。
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公开(公告)号：CN101542715A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000415.1
申请日：2008-02-14
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L23/522 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/823885 , H01L27/1203 , H01L29/78642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种由使用了SGT的高集成且高速的至少两级以上的CMOS反相器耦合电路构成的半导体装置。本发明所涉及的半导体装置由将n个(n为2以上)CMOS反相器耦合而成的CMOS反相器耦合电路构成，n个反相器各自具有pMOS SGT、nMOS SGT、以将pMOS SGT的栅极与nMOS SGT的栅极连接的方式进行布线的输入端子、以将pMOS SGT的漏极扩散层与nMOS SGT的漏极扩散层在岛状半导体下部层上连接的方式进行布线的输出端子、布线在pMOS SGT的源极扩散层上的pMOS SGT用的电源供给布线、以及布线在nMOS SGT的源极扩散层上的nMOS SGT用的电源供给布线，将第n－1个的输出端子与第n个的输入端子进行连接。
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公开(公告)号：CN101490838A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026259.1
申请日：2007-07-12
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/0416 , H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L29/7926
摘要： 提供不损坏存储单元的高集成化而能够利用FN隧道电流对电荷存储层进行电荷的注入的NOR型非易失性半导体存储器。通过具有以下特征的非易失性半导体存储器来解决上述问题，该非易失性半导体存储器的特征在于，在半导体衬底上形成岛状半导体层、具有形成在岛状半导体层的上部的漏极扩散层、形成在岛状半导体层的下部的源极扩散层、通过栅极绝缘膜在被漏极扩散层和源极扩散层夹着的侧壁的沟道区域上形成的电荷存储层以及形成在电荷存储层上的控制栅极的非易失性半导体存储单元排列为阵列状，将连接到漏极扩散层的比特线在列方向上进行布线，将控制栅极线在行方向上进行布线，将连接到源极控制层的源极线在列方向上进行布线。
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公开(公告)号：CN101490838B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200780026259.1
申请日：2007-07-12
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/0416 , H01L27/11521 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L29/7926
摘要： 提供不损坏存储单元的高集成化而能够利用FN隧道电流对电荷存储层进行电荷的注入的NOR型非易失性半导体存储器。通过具有以下特征的非易失性半导体存储器来解决上述问题，该非易失性半导体存储器的特征在于，在半导体衬底上形成岛状半导体层、具有形成在岛状半导体层的上部的漏极扩散层、形成在岛状半导体层的下部的源极扩散层、通过栅极绝缘膜在被漏极扩散层和源极扩散层夹着的侧壁的沟道区域上形成的电荷存储层以及形成在电荷存储层上的控制栅极的非易失性半导体存储单元排列为阵列状，将连接到漏极扩散层的比特线在列方向上进行布线，将控制栅极线在行方向上进行布线，将连接到源极控制层的源极线在列方向上进行布线。
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公开(公告)号：CN101667558A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910167294.6
申请日：2009-09-02
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/823885 , H01L29/66666 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法。在用于决定栅极长度的干蚀刻中通过使用监视等离子体发光来检测终点的方法，稳定地制造半导体装置的栅极长度。该半导体装置在基板沿垂直方向分层配置源极扩散层、漏极扩散层及柱状半导体层，在柱状半导体层的侧壁配置栅极，该方法包括以下工序：以埋入柱状半导体层的方式形成第一绝缘膜或导电膜；利用形成在柱状半导体层上部的阻止膜检测终点，使第一绝缘膜或导电膜平坦化；将第二绝缘膜或导电膜成膜；蚀刻第二绝缘膜或导电膜且计算蚀刻时的蚀刻速率；使用回蚀第二绝缘膜或导电膜时的第二绝缘膜或导电膜的蚀刻速率，进行第一绝缘膜或者导电膜的蚀刻的终点检测，控制第一绝缘膜或导电膜的蚀刻量。
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公开(公告)号：CN101542733A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000441.4
申请日：2008-03-21
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L27/14679 , H01L27/14683
摘要： 本发明提供一种固体摄像元件，是一种受光部的表面积相对于1个像素的表面积的比例较大的图像传感器。在基板上排列固体摄像元件形成的固体摄像装置，该固体摄像元件包括：形成在基板上的信号线；配置在上述信号线上的岛状半导体；与上述岛状半导体的上部连接的像素选择线，上述岛状半导体包括：配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线连接的第1半导体层；与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层；隔着绝缘膜与上述第2半导体层连接的栅极；与上述第2半导体层连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的上述电荷积蓄部；与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线连接的第4半导体层，将上述固体摄像元件在基板上排列成蜂窝状。
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公开(公告)号：CN101542733B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880000441.4
申请日：2008-03-21
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14643 , H01L27/14679 , H01L27/14683
摘要： 本发明提供一种固体摄像元件，是一种受光部的表面积相对于1个像素的表面积的比例较大的图像传感器。在基板上排列固体摄像元件形成的固体摄像装置，该固体摄像元件包括：形成在基板上的信号线；配置在上述信号线上的岛状半导体；与上述岛状半导体的上部连接的像素选择线，上述岛状半导体包括：配置在上述岛状半导体的下部、与上述信号线连接的第1半导体层；与上述第1半导体层的上侧邻接的第2半导体层；隔着绝缘膜与上述第2半导体层连接的栅极；与上述第2半导体层连接、由受光时电荷量会发生变化的第3半导体层构成的上述电荷积蓄部；与上述第2半导体层和上述第3半导体层的上侧邻接、与上述像素选择线连接的第4半导体层，将上述固体摄像元件在基板上排列成蜂窝状。
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公开(公告)号：CN101728410A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910180640.4
申请日：2009-10-26
申请人： 日本优尼山帝斯电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/148 , H01L21/82 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14812 , H01L27/14689
摘要： 一种减小读取通道面积且受光部表面积相对于一像素面积比例较大的CCD固态摄像元件。具有：第1导电型平面状半导体层，形成于第2导电型平面状半导体层上；孔，形成于第1导电型平面状半导体层；第1导电型高浓度杂质区域，形成于孔底部；元件隔离区域，其由形成于孔一部分侧壁且与第1导电型高浓度杂质区域连接；第2导电型光电转换区域，形成于孔底部的第1导电型高浓度杂质区域下部以及孔另一部分侧壁，通过受光使电荷量变化；传输电极，隔栅极绝缘膜形成于孔侧壁；第2导电型CCD通道区域，形成于第1导电型平面状半导体层表面、以及孔另一部分侧壁上部；读取通道，形成于由第2导电型光电转换区域和第2导电型CCD通道区域所夹区域。
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