发明授权
- 专利标题: 一种制造半导体结构的方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing semiconductor structure
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申请号: CN200780049185.3申请日: 2007-12-20
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公开(公告)号: CN101573795B公开(公告)日: 2011-05-11
- 发明人: 刘耀诚 , D·奇丹巴尔拉奥 , K·里姆 , O·格卢斯陈克夫 , R·T·莫 , J·R·霍尔特
- 申请人: 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国纽约
- 专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人: 奥瑞加创新股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 于静; 李峥
- 优先权: 11/619,809 2007.01.04 US
- 国际申请: PCT/US2007/088266 2007.12.20
- 国际公布: WO2008/085686 EN 2008.07.17
- 进入国家日期: 2009-07-03
- 主分类号: H01L27/10
- IPC分类号: H01L27/10 ; H01L21/82
摘要:
虽然嵌入的硅锗合金和硅碳合金提供许多有用的应用,尤其是通过应力工程增强MOSFET的迁移率,但是在这些表面上形成合金硅化物会使器件性能劣化。本发明提供的结构与方法在半导体衬底上的此类硅合金表面上提供未合金硅化物。这使得能够为相同半导体衬底上的具有嵌入的SiGe的迁移率增加的PFET和具有嵌入的Si:C的迁移率增强的NFET形成低电阻接触。此外,本发明提供用于高于栅极电介质层的厚外延硅合金,尤其是厚外延Si:C合金,的方法以增加晶体管器件的沟道上的应力。
公开/授权文献
- CN101573795A 具有未合金硅化物的迁移率增加的结构和方法 公开/授权日:2009-11-04