公开(公告)号：CN101573795A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780049185.3

申请日：2007-12-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 刘耀诚 ,  D·奇丹巴尔拉奥 ,  K·里姆 ,  O·格卢斯陈克夫 ,  R·T·莫 ,  J·R·霍尔特

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 虽然嵌入的硅锗合金和硅碳合金提供许多有用的应用，尤其是通过应力工程增强MOSFET的迁移率，但是在这些表面上形成合金硅化物会使器件性能劣化。本发明提供的结构与方法在半导体衬底上的此类硅合金表面上提供未合金硅化物。这使得能够为相同半导体衬底上的具有嵌入的SiGe的迁移率增加的PFET和具有嵌入的Si:C的迁移率增强的NFET形成低电阻接触。此外，本发明提供用于高于栅极电介质层的厚外延硅合金，尤其是厚外延Si:C合金的方法以增加晶体管器件的沟道上的应力。

公开(公告)号：CN101241936A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810005703.8

申请日：2008-02-03

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 骆志炯 ,  刘耀诚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 本发明涉及一种包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法。一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括衬里层，所述衬里层被插入到这样的区域之间：(1)半导体衬底内的台座形沟道区域；和(2)半导体材料层内的源极和漏极区域，所述半导体材料层位于所述衬里层上并进一步被所述台座形沟道区域横向分离。所述衬里层包括活性的掺杂的硅碳材料。所述半导体材料层包括不同于硅碳半导体材料的半导体材料。可选地，所述半导体材料层包括这样的硅碳半导体材料，所述硅碳半导体材料具有与所述衬里层相反的掺杂剂极性和比所述衬里层低的碳含量。由于存在所述硅碳材料，所以所述衬里层抑制了掺杂剂从所述衬里层扩散到所述台座形沟道区域中。因此提高了使用所述台座形沟道区域的场效应器件的电性能。

公开(公告)号：CN101079380A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710089334.0

申请日：2007-03-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 刘耀诚 ,  杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥 ,  克恩·利姆

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

摘要： 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。在所述半导体结构中，减少了多晶硅栅的多晶耗尽和寄生电容问题。所述结构还包括薄多晶栅和优化的深源/漏掺杂。所述方法改变了不同的注入步骤的次序并使制造没有剂量损失或掺杂渗透问题的结构成为可能。根据本发明，使用牺牲硬掩模盖层来阻挡高能量注入，并使用3－1隔离层(偏移隔离层、第一隔离层和第二隔离层)方案来优化源/漏掺杂分布。使用这个方法，注入到薄多晶硅栅的剂量可以增加，同时可以优化深源/漏注入而不用担心渗透问题。

公开(公告)号：CN101573795B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200780049185.3

申请日：2007-12-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 刘耀诚 ,  D·奇丹巴尔拉奥 ,  K·里姆 ,  O·格卢斯陈克夫 ,  R·T·莫 ,  J·R·霍尔特

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： 虽然嵌入的硅锗合金和硅碳合金提供许多有用的应用，尤其是通过应力工程增强MOSFET的迁移率，但是在这些表面上形成合金硅化物会使器件性能劣化。本发明提供的结构与方法在半导体衬底上的此类硅合金表面上提供未合金硅化物。这使得能够为相同半导体衬底上的具有嵌入的SiGe的迁移率增加的PFET和具有嵌入的Si:C的迁移率增强的NFET形成低电阻接触。此外，本发明提供用于高于栅极电介质层的厚外延硅合金，尤其是厚外延Si:C合金，的方法以增加晶体管器件的沟道上的应力。