- 专利标题: 磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法
- 专利标题(英): Magnetron unit, magnetron sputtering apparatus and method for manufacturing electronic device
-
申请号: CN200880002807.1申请日: 2008-10-30
-
公开(公告)号: CN101595240B公开(公告)日: 2012-05-23
- 发明人: 远藤彻哉 , E·N·阿巴拉
- 申请人: 佳能安内华股份有限公司
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人: 佳能安内华股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 张涛
- 优先权: 283438/2007 2007.10.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2008/069799 2008.10.30
- 国际公布: WO2009/057715 JA 2009.05.07
- 进入国家日期: 2009-07-22
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; H01L21/285
摘要:
一种磁控管单元包括:多个第一磁体元件,每个第一磁体元件都包括具有相同极性且设置在由磁性材料制成的轭板的两端部分上的第一磁体、以及具有与第一磁体的极性不同的极性且布置在轭板的中间部分上的第二磁体;基板,在所述基板上设置有运动装置以使所述多个第一磁体元件中的每个沿一个方向运动;以及第二磁体元件,其包括由磁性材料制成且分别固定至基板的两端部分的轭板、具有与第二磁体的极性相同的极性且布置在轭板上的磁体、以及具有与第一磁体的极性相同的极性且设置在所述磁体上的磁体。
公开/授权文献
- CN101595240A 磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法 公开/授权日:2009-12-02
IPC分类: