发明公开
- 专利标题: 微机电系统圆片级真空封装导线互连结构及其制造方法
- 专利标题(英): Wafer-level vacuum encapsulation wire interconnecting structure of micro electro mechanical system and manufacturing method thereof
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申请号: CN200910306690.2申请日: 2009-09-08
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公开(公告)号: CN101638212A公开(公告)日: 2010-02-03
- 发明人: 汪学方 , 张卓 , 刘川 , 甘志银 , 张鸿海 , 刘胜 , 罗小兵
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 方放
- 主分类号: B81B7/00
- IPC分类号: B81B7/00 ; B81C1/00 ; B81C3/00
摘要:
微机电系统圆片级真空封装互连结构及其制造方法,属于微机电系统的导线互连结构及其制造方法,解决现有互连结构套刻精度要求较高、不能保证腐蚀深度一致性的问题,提高真空度保持性,并实现电信号连通。本发明的互连结构,硅基板上开有通孔,通孔和硅基板表面具有绝缘层,金属电极穿过通孔并将其封闭,金属电极和绝缘层之间具有中间层,盖板与硅基板键合,盖板内的空间为放置MEMS器件的真空腔。本发明的方法包括:刻蚀通孔、制作绝缘层、制作中间层、制作金属电极、制作焊环或者腐蚀形成环形槽以及键合等步骤。本发明密封质量高、真空保持时间长、键合应力小、可靠性好,而成本较低,可极大促进圆片级MEMS真空封装技术的商业化推广。