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公开(公告)号：CN118740693A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410868027.6
申请日：2024-07-01
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 华中科技大学 , 国家电网有限公司
IPC: H04L43/0852 , H04L41/147 , H04L41/16 , G06N3/0464 , G06N3/045 , G06N3/088 , H04L43/0829
Abstract: 本发明提供了一种基于LSTM的分布式资源聚合网络时延分析方法和系统，包括：获取当前时刻前一段时间内的分布式资源聚合网络中两个待研究节点间的网络状态数据序列；将所述网络状态数据序列输入预先构建的时延预测模型，得到预测时刻两个待研究节点间的时延；其中，所述时延预测模型是以历史时段的两个待研究节点间网络状态数据序列为输入，对应的历史预测时刻两个待研究节点间的时延为输出，基于长短期记忆网络训练得到的；本发明在分布式资源聚合中使用时延预测模型通常能够提供较好的预测性能，该模型的参数可以通过历史数据进行训练，从而能够较准确地预测未来的延迟变化，这对于实时决策和网络优化提供了有力支持。
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公开(公告)号：CN118075148A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410285956.4
申请日：2024-03-13
Applicant: 华中科技大学 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H04L41/147 , H04L41/14 , H04L41/142 , H04L67/12
Abstract: 本发明属于网关设备时延数据预测技术领域，公开了一种虚拟电厂中网关侧时延时间序列预测模型的构建方法，采用训练样本集训练时延时间序列预测模型；其中，时延时间序列预测模型包括依次连接的权重矩阵更新网络和时延预测网络；权重矩阵更新网络用于将训练样本集与权重矩阵相乘后得到采样后的数据序列，权重矩阵为与训练样本集大小一致的0，1矩阵，0表示训练样本集中对应位置处的数据不采样，1表示对训练样本集中对应位置处的数据采样；每次训练中通过权重矩阵的更新自适应调整输入模型的训练样本集的采样间隔。本发明还提供了虚拟电厂中网关侧时延时间序列预测方法。本发明能够提升虚拟电厂中网关设备时延时间序列预测的准确度。
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公开(公告)号：CN101608962B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910062620.7
申请日：2009-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种微型皮拉尼计，属于微机电系统的真空度测量器件，克服现有微型皮拉尼计体积大、灵敏度不够高的问题。本发明在硅衬底上具有凹槽，凹槽表面架有隔热层，隔热层表面覆盖绝缘层，绝缘层上溅射有加热体，加热体的两端溅射有金属电极；所述加热体为形状弯曲的铂或镍金属；所述绝缘层材料为氮化硅或二氧化硅；所述隔热层材料为二氧化硅、氮化硅中的一种或两种。本发明体积小、重量轻而且性能稳定，加热体采用金属铂，它的线性度好、性能稳定、灵敏度高、有良好的化学稳定性；其制造工艺简单、成本低、成品率高、可靠性高。适用于各种大小真空封装以及微型腔体中进行真空度实时检测。
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公开(公告)号：CN101554988A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910061898.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片MEMS器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级MEMS真空封装技术的发展和推广。
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公开(公告)号：CN101554987B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910061897.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准IC工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封装，可以在常规的IC生产厂实现生产，极大的推动圆片级MEMS真空封装技术的发展和推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101554988B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910061898.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片MEMS器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级MEMS真空封装技术的发展和推广。
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公开(公告)号：CN116527080B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310364669.8
申请日：2023-04-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04B3/46 , H04B3/54 , H04B17/382 , G06F18/20 , G06F18/15 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的电力线频谱感知方法、装置和系统，属于电力线信道检测技术领域，所述方法包括：S1：将电力线的接收信号转化为频谱信号并作为训练数据；S2：利用训练数据对基于深度学习的初始残差网络进行训练，得到包括多个残差块的目标残差网络；S3：利用目标残差网络对残差块电力线的当前接收信号进行感知，判断残差块当前接收信号为高斯噪声、脉冲噪声或信号加噪声。利用基于深度学习的残差网络进行电力线接收信号的感知，判断其为高斯噪声、脉冲噪声或信号加噪声，能够快速缺精准获悉信道占用情况，便于根据电力线的信道占用情况进行信道使用，由此解决现有频谱感知方法计算复杂度但估计精度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN117241390A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311282608.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04W72/0453 , H04W72/50
Abstract: 本发明公开了一种嵌入式CR辅助的NOMA资源调度方法、装置、系统及介质，属于无线通信系统频谱资源调度技术领域，包括以下步骤：认知无线电网络中的次用户(SU)感知主用户(PU)的频谱状态，并向融合中心(FC)发起频谱接入请求；FC获取当前时刻所有频谱空穴集合，并以各请求的SU接入后系统和速率最大为准则，确定最优频谱空穴接入策略并反馈于各请求的SU；各请求的SU根据所述反馈以嵌入式方式接入频谱空穴。与当前现有的两种CR范式相比，本发明提出的是一种嵌入式CR模式，其允许SUs访问PUs释放的频谱空穴而接入频谱，这种方法可以避免underlay和overlay范式带来的缺点，而且可以显著提升系统整体频谱利用率，且计算复杂度小的优点。
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公开(公告)号：CN101638212A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910306690.2
申请日：2009-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 微机电系统圆片级真空封装互连结构及其制造方法，属于微机电系统的导线互连结构及其制造方法，解决现有互连结构套刻精度要求较高、不能保证腐蚀深度一致性的问题，提高真空度保持性，并实现电信号连通。本发明的互连结构，硅基板上开有通孔，通孔和硅基板表面具有绝缘层，金属电极穿过通孔并将其封闭，金属电极和绝缘层之间具有中间层，盖板与硅基板键合，盖板内的空间为放置MEMS器件的真空腔。本发明的方法包括：刻蚀通孔、制作绝缘层、制作中间层、制作金属电极、制作焊环或者腐蚀形成环形槽以及键合等步骤。本发明密封质量高、真空保持时间长、键合应力小、可靠性好，而成本较低，可极大促进圆片级MEMS真空封装技术的商业化推广。
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公开(公告)号：CN101554987A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910061897.8
申请日：2009-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准IC工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封装，可以在常规的IC生产厂实现生产，极大的推动圆片级MEMS真空封装技术的发展和推广。
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