发明公开
- 专利标题: 一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法
- 专利标题(英): Growth method of bismuth silicate monocrystal with hydrothermal method
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申请号: CN200910114341.0申请日: 2009-08-28
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公开(公告)号: CN101643937A公开(公告)日: 2010-02-10
- 发明人: 何小玲 , 张昌龙 , 王金亮 , 霍汉德 , 周海涛 , 覃世杰 , 张海霞
- 申请人: 桂林矿产地质研究院
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市辅星路2号
- 专利权人: 桂林矿产地质研究院
- 当前专利权人: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司,桂林百锐光电技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市辅星路2号
- 代理机构: 桂林市持衡专利商标事务所有限公司
- 代理商 苏家达
- 主分类号: C30B29/34
- IPC分类号: C30B29/34 ; C30B7/10
摘要:
本发明涉及一种水热法生长硅酸铋(Bi 12 SiO 20 ,简称BSO)晶体的方法。其特点是采用氟化物矿化剂体系进行晶体生长。采用BSO原料作培养料,置于黄金衬套管底部,在黄金衬套管的中下部放置一个开孔率为7%~10%的黄金挡板,将下部的培养料溶解区和上部的晶体生长区隔开;在黄金衬套管的顶部悬挂籽晶或金丝,按65~75%的填充度,向黄金衬套管中加入氟离子浓度为0.3~6mol/L的氟化物溶液,将黄金衬套管密封,放入高压釜中,在黄金衬套管和高压釜的夹层加入一定量去离子水或蒸馏水,密封,加热,使溶解区平均温度为365~420℃,生长区平均温度为335~385℃,经过10~90天恒温生长,得到BSO单晶体。
公开/授权文献
- CN101643937B 一种水热法生长硅酸铋单晶体的方法 公开/授权日:2012-03-21
IPC分类: