发明授权
CN101660200B 一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉
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申请号： CN200910304181.6申请日： 2009-07-09
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公开(公告)号： CN101660200B公开(公告)日： 2011-12-28
- 发明人: 郑智雄 , 马殿军 , 张伟娜 , 南毅 , 王致绪 , 徐诗双 , 洪朝海 , 程香
- 申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
- 申请人地址： 福建省南安市霞美光伏电子信息产业园
- 专利权人： 南安市三晶阳光电力有限公司
- 当前专利权人： 南安市三晶阳光电力有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省南安市霞美光伏电子信息产业园
- 代理机构： 厦门市首创君合专利事务所有限公司
- 代理商 张松亭
- 主分类号： C30B28/06
- IPC分类号： C30B28/06 ; C30B27/00 ; C30B29/06 ; C01B33/021
摘要：
本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
公开/授权文献
- CN101660200A 一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉 公开/授权日：2010-03-03
IPC分类:
