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公开(公告)号：CN101760777B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B19/06
摘要： 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明专利可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
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公开(公告)号：CN101660201A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910304187.3
申请日：2009-07-09
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的保温系统，其包括炉体，炉体内绕炉体四周设一金属框架，在金属框架侧壁内还设有侧壁莫来石纤维板，金属框架顶部设有顶部莫来石纤维板，坩埚下方的石墨板底部设有底部莫来石纤维板，位于石墨板底部、位于金属框架侧壁内及位于金属框架顶部的各莫来石纤维板共同组成一封闭空间，在所述的侧壁莫来石纤维板靠炉体中心的内侧还设有一层刚玉莫来石承烧板。本发明的保温系统可在多晶硅熔炼铸锭过程中减少电能消耗，在铸造大型硅锭时，减少硅锭的热应力，提高切片成品率，尤其适用于生产450kg以上重量的多晶硅铸锭。
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公开(公告)号：CN101764178A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111541.0
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/208
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种硅基太阳能薄膜的制备方法，属于半导体材料及太阳能电池材料领域。该方法包括以下步骤：首先将溶剂合金溶解，然后将6N高纯硅料溶解于溶剂中，再将纯度小于6N的衬底硅片置于溶液内，降温，使高纯硅料外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可将4-5N衬底硅片表面外延生长出所需厚度的6N硅薄膜。
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公开(公告)号：CN101764177A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111539.3
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种硅基太阳能薄膜的制备方法，涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤：首先将In溶解，然后将装有衬底硅片的衬底夹具置入In中，升温，通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量，溶解30μm-40μm左右后开始降温，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可由4-5N衬底硅片外延生长得到6N硅片。
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公开(公告)号：CN101760777A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B19/06
摘要： 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
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公开(公告)号：CN101764178B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910111541.0
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/208
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种硅基太阳能薄膜的制备方法，属于半导体材料及太阳能电池材料领域。该方法包括以下步骤：首先将溶剂合金溶解，然后将6N高纯硅料溶解于溶剂中，再将纯度小于6N的衬底硅片置于溶液内，降温，使高纯硅料外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可将4-5N衬底硅片表面外延生长出所需厚度的6N硅薄膜。
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公开(公告)号：CN101760775A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111527.0
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B19/00
CPC分类号： C30B19/06
摘要： 一种连续液相外延法制备薄膜的方法和装置，属于液相外延技术领域。本发明使用一种至少具两个旋转单元的设备进行液相外延生长，衬底片可在旋转单元中轮流进行外延操作，每次操作完毕，不必等炉膛完全冷却，即将衬底片上升至其中的一个旋转单元内，离开炉膛上方进行冷却，同时将另一旋转单元内第二批次的衬底片转入炉膛，进行第二批次的液相外延操作，如此重复，消除了现有技术炉膛必须冷却后再重新升温，能量大量浪费的弊端。
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公开(公告)号：CN101660200A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910304181.6
申请日：2009-07-09
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B27/00 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
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公开(公告)号：CN101660200B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910304181.6
申请日：2009-07-09
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B27/00 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
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公开(公告)号：CN101760779B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910111525.1
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
摘要： 一种采用液态滤网提纯多晶硅的方法，属于冶金提纯领域。本发明的方法是在硅定向凝固提纯过程中加入一定量熔点低于硅熔点，且密度大于硅密度的金属元素或合金或金属混合物，在硅铸锭冷却过程中合金形成液态滤网，而硅中各种杂质随滤网由下而上过滤到铸锭表面。本发明的方法可以有效降低硅中杂质含量，特别是B杂质含量，可以将B含量由原来的2-4ppmwt降到0.5-1ppmwt。采用本发明的方法，可将4-5N多晶硅有效提纯至6N以上。
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