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公开(公告)号：CN101760655B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910111529.X
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种细晶强化硅锡复合材料的方法，涉及一种硅锡材料。其首先按配比所需重量的硅及锡，然后将配置好的硅锡原料混合，加入炉中，升温至1400℃以上，再以10～50℃/h的速度降温，得到硅锡复合材料；之后再将得到的硅锡复合材料放入铸锭炉中升温至800℃～1100℃，进行二次熔炼，再以5-20℃/h的速度冷却。本发明的方法可以提供一种新型复合材料-硅锡复合材料，该材料具有高强度和高韧性。
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公开(公告)号：CN101760665A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111523.2
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
摘要： 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法，属于复合材料领域。该方法按以下步骤进行：按照配比计算所需重量的硅及锡；将配置好的硅锡原料混合，加入高温真空熔炼炉中，升温至1400℃以上，再以10-50℃/h的速度降温。这种材料具有韧性和高硬度的物理性能，密度低，同时具有一定的金属特性，具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN101760777B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B19/06
摘要： 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明专利可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
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公开(公告)号：CN101660201A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910304187.3
申请日：2009-07-09
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的保温系统，其包括炉体，炉体内绕炉体四周设一金属框架，在金属框架侧壁内还设有侧壁莫来石纤维板，金属框架顶部设有顶部莫来石纤维板，坩埚下方的石墨板底部设有底部莫来石纤维板，位于石墨板底部、位于金属框架侧壁内及位于金属框架顶部的各莫来石纤维板共同组成一封闭空间，在所述的侧壁莫来石纤维板靠炉体中心的内侧还设有一层刚玉莫来石承烧板。本发明的保温系统可在多晶硅熔炼铸锭过程中减少电能消耗，在铸造大型硅锭时，减少硅锭的热应力，提高切片成品率，尤其适用于生产450kg以上重量的多晶硅铸锭。
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公开(公告)号：CN101764177A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111539.3
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种硅基太阳能薄膜的制备方法，涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤：首先将In溶解，然后将装有衬底硅片的衬底夹具置入In中，升温，通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量，溶解30μm-40μm左右后开始降温，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可由4-5N衬底硅片外延生长得到6N硅片。
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公开(公告)号：CN101760777A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111540.6
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B19/06
摘要： 一种液相外延法制取薄膜的装置，涉及一种外延生长设备。其包括：一阀室，阀室内装有一升降旋转轴；一炉室，位于阀室的下方；一坩埚，位于炉室内；一用来加热所述坩埚内原料的加热装置；其特征在于：还包括一石墨花篮，所述的石墨花篮位于炉体内，可在阀室内及炉室内上下运动，石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间，可一次性生产多个外延片；花篮可随着升降旋转轴旋转，使衬底片周围各处溶液浓度均匀，消除了温度场不均匀带来的生长差异，生长出来的外延片厚度均匀。
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公开(公告)号：CN101760655A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910111529.X
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种细晶强化硅锡复合材料的方法，涉及一种硅锡材料。其首先按配比所需重量的硅及锡，然后将配置好的硅锡原料混合，加入炉中，升温至1400℃以上，再以10～50℃/h的速度降温，得到硅锡复合材料；之后再将得到的硅锡复合材料放入铸锭炉中升温至800℃～1100℃，进行二次熔炼，再以5-20℃/h的速度冷却。本发明的方法可以提供一种新型复合材料-硅锡复合材料，该材料具有高强度和高韧性。
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公开(公告)号：CN101660200A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910304181.6
申请日：2009-07-09
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B27/00 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
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公开(公告)号：CN101760665B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910111523.2
申请日：2009-04-17
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
摘要： 一种具有韧性和高硬度的硅锡复合材料及其制造方法，属于复合材料领域。该方法按以下步骤进行：按照配比计算所需重量的硅及锡；将配置好的硅锡原料混合，加入高温真空熔炼炉中，升温至1400℃以上，再以10-50℃/h的速度降温。这种材料具有韧性和高硬度的物理性能，密度低，同时具有一定的金属特性，具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN101660200B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910304181.6
申请日：2009-07-09
申请人： 南安市三晶阳光电力有限公司
IPC分类号： C30B28/06 , C30B27/00 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
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