半导体晶粒的接合方法

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专利标题： 半导体晶粒的接合方法
专利标题（英）： Method for bonding semiconductor dies
申请号： CN200910149028.0

申请日： 2009-06-11
公开(公告)号： CN101740414A

公开(公告)日： 2010-06-16
发明人: 余振华 , 邱文智 , 吴文进
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
代理机构： 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理商 寿宁; 张华辉
优先权： 12/272,404 2008.11.17 US
主分类号： H01L21/50
IPC分类号： H01L21/50 ; H01L21/66

摘要：

本发明是有关于一种半导体晶粒的接合方法，该接合方法包含下列步骤：提供第一晶粒和第二晶粒。首先，扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一，以判断其厚度变化。其次，将第一晶粒的第一表面朝向第二晶粒的第二表面。利用厚度变化，调整第一晶粒与第二晶粒，使得第一表面与第二表面互相平行。最后，将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中，调整第一晶粒与第二晶粒的步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。本发明在将晶粒接合至晶粒或晶圆上时，有较大的产量以及更增进的可信赖度。

摘要（英）：

A method for bonding includes providing a first die and a second die; scanning at least one of the first die and the second die to determine thickness variations of the at least one of the first die and the second die; placing the second die facing the first die with a first surface of the first die facing a second surface of the second die; aligning the first surface and the second surface parallel to each other using the thickness variations; and bonding the second die onto the first die. The step of aligning the first surface and the second surface includes tilting one of the first die and the second die.

公开/授权文献

CN101740414B 半导体晶粒的接合方法公开/授权日：2011-10-26

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的