发明授权
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method of manufacturing same
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申请号: CN200910258845.X申请日: 2009-12-25
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公开(公告)号: CN101771068B公开(公告)日: 2014-07-30
- 发明人: 板东晃司 , 三角和幸 , 秋山龙彦 , 和泉直生 , 山崎晓
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 郑菊
- 优先权: 2008-333247 2008.12.26 JP
- 主分类号: H01L27/22
- IPC分类号: H01L27/22 ; H01L23/552 ; H01L21/50 ; G11C11/02 ; G11C11/16
摘要:
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后,半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外,第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说,设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时,在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时,第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
公开/授权文献
- CN101771068A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2010-07-07