公开(公告)号：CN101005021B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200610171145.3

申请日：2006-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 和泉直生

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B28D5/02 ,  B26D1/00 ,  B26D1/143

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是：在进行晶片的切割时，一边抑制刀片的孔眼堵塞，一边减小碎裂的尺寸。在切削晶片(34)时，使用包含粒度为#3000以上的磨粒、尖端部呈V字形的金属粘结刀片(31)，使V字形的肩部分深入到晶片(34)的表面下侧(从基板表面起算的深度Z2)进行切削。通过如此加工，切削阻力上升，可防止刀片的孔眼堵塞。由此，可一边防止刀片的孔眼堵塞，一边将碎裂的尺寸抑制得很小。

公开(公告)号：CN101471293B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200910005088.5

申请日：2006-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 和泉直生

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/304 ,  B26D1/00

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，其目的是：在进行晶片的切割时，一边抑制刀片的孔眼堵塞，一边减小碎裂的尺寸。在切削晶片(34)时，使用包含粒度为#3000以上的磨粒、尖端部呈V字形的金属粘结刀片(31)，使V字形的肩部分深入到晶片(34)的表面下侧(从基板表面起算的深度Z2)进行切削。通过如此加工，切削阻力上升，可防止刀片的孔眼堵塞。由此，可一边防止刀片的孔眼堵塞，一边将碎裂的尺寸抑制得很小。

公开(公告)号：CN104078480A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410300535.0

申请日：2009-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  三角和幸 ,  秋山龙彦 ,  和泉直生 ,  山崎晓

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49503 ,  G11C11/16 ,  H01L23/552 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/228 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。

公开(公告)号：CN101771068B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN200910258845.X

申请日：2009-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 板东晃司 ,  三角和幸 ,  秋山龙彦 ,  和泉直生 ,  山崎晓

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L23/49503 ,  G11C11/16 ,  H01L23/552 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/228 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。

公开(公告)号：CN103413789A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310364531.4

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。

公开(公告)号：CN103413789B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310364531.4

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。

公开(公告)号：CN101593738B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200910203111.1

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。