发明授权
- 专利标题： 辐射源
- 专利标题（英）： Radiation source
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申请号： CN200880103732.6申请日： 2008-08-20
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公开(公告)号： CN101785368B公开(公告)日： 2013-01-02
- 发明人: V·Y·班宁 , V·V·伊万诺夫
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王新华
- 优先权： 60/935,643 2007.08.23 US; 12/078,663 2008.04.02 US
- 国际申请： PCT/IB2008/002201 2008.08.20
- 国际公布： WO2009/024860 EN 2009.02.26
- 进入国家日期： 2010-02-21
- 主分类号： H05G2/00
- IPC分类号： H05G2/00
摘要：
一种辐射源，包括腔和用于产生等离子体的物质的供给装置，所述源具有相互作用点，在该相互作用点处，被引入到所述腔中的所述用于产生等离子体的物质可以与激光束相互作用，并且因此产生辐射发射等离子体，其中所述源进一步包括被布置以将缓冲气体传递到所述腔中的导管，所述导管具有邻近所述相互作用点处的出口。
公开/授权文献
- CN101785368A 辐射源 公开/授权日：2010-07-21