发明公开
- 专利标题: 可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极
- 专利标题(英): Tile type power electrode of large-area VHF-PECVD reaction chamber capable of obtaining uniform electric field
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申请号: CN201010125516.0申请日: 2010-03-17
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公开(公告)号: CN101800148A公开(公告)日: 2010-08-11
- 发明人: 葛洪 , 张晓丹 , 赵颖
- 申请人: 南开大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 专利权人: 南开大学
- 当前专利权人: 南开大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路94号
- 代理机构: 天津佳盟知识产权代理有限公司
- 代理商 廖晓荣
- 主分类号: H01J37/04
- IPC分类号: H01J37/04 ; H01J37/32 ; C23C16/505
摘要:
本发明是一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极,包括功率电极板和功率馈入连接端口,其特征在于所述功率电极板的板面为单面或双面的内凹弧形曲面,弧形曲面轴向与功率馈入连接端口平行;所述功率馈入连接端口为偶数个点,对称设置在功率电极板的端面上。本发明的可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD反应室瓦片式功率电极利用与衬底S正对的瓦片状弧形曲面,修正了电极间驻波效应对电场分布均匀性的影响,使电场分布均匀性得到的改善。本发明解决了大面积VHF-PECVD反应室电极间电场分布的均匀性问题,为研发大面积VHF-PECVD薄膜沉积和刻蚀系统奠定了基础,可有力推动硅薄膜电池和薄膜晶体管矩阵技术产业化进程。