Invention Grant
CN101814432B 晶片加工用薄膜
失效 - 权利终止
- Patent Title: 晶片加工用薄膜
- Patent Title (English): Film for machining wafer
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Application No.: CN201010117459.1Application Date: 2010-02-20
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Publication No.: CN101814432BPublication Date: 2012-03-21
- Inventor: 野村芳弘 , 丸山弘光 , 木村和宽 , 盛岛泰正 , 石渡伸一
- Applicant: 古河电气工业株式会社
- Applicant Address: 日本国东京都
- Assignee: 古河电气工业株式会社
- Current Assignee: 古河电气工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本国东京都
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李贵亮
- Priority: 2009-038535 2009.02.20 JP
- Main IPC: H01L21/301
- IPC: H01L21/301 ; H01L21/68

Abstract:
本发明提供不增加材料成本或制造工序,能够以简单的结构,充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下,即:在标记部的外周(13c)中,至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中,从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时,外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长,减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力,由此抑制转印痕的发生。
Public/Granted literature
- CN101814432A 晶片加工用薄膜 Public/Granted day:2010-08-25
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IPC分类: