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晶片加工用薄膜
Abstract:
本发明提供不增加材料成本或制造工序,能够以简单的结构,充分地抑制向粘接剂层的转印痕的发生的晶片加工用薄膜。将晶片加工用薄膜(10)的标记部(13a)预切割如下,即:在标记部的外周(13c)中,至少在晶片加工用薄膜(10)以辊状卷绕时与粘接剂层(12)重叠的外周转印区域(13d)中,从使粘接剂层(12)的中心部到所述外周转印区域(13d)的距离为最短的长度设为r时,外周转印区域(13d)的全长比半径为r的圆弧长度的外周转印区域的全长长,减轻施加于标记部(13a)的外周转印区域(13d)的应力,由此抑制转印痕的发生。
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