发明授权
- 专利标题： 引线框的微爆处理方法
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申请号： CN200910224066.8申请日： 2009-12-03
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公开(公告)号： CN101901769B公开(公告)日： 2011-12-07
- 发明人: 关耀辉 , 陈达志 , 邱俊浩
- 申请人： 先进半导体物料科技有限公司
- 申请人地址： 中国香港新界葵涌工业街16-22号屈臣氏中心20楼
- 专利权人： 先进半导体物料科技有限公司
- 当前专利权人： 先进封装材料国际有限公司
- 当前专利权人地址： 中国香港新界葵涌工业街16-22号屈臣氏中心20楼
- 代理机构： 北京申翔知识产权代理有限公司
- 代理商 周春发
- 优先权： 12/341,240 2008.12.22 US
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48 ; H01L23/495
摘要：
本发明公开了一种制造引线框的方法，其中将裸引线框材料浸入盐溶液中；在盐溶液中邻接于该裸引线框材料提供气泡，以便于该气泡接触引线框材料的表面并在接近于裸引线框材料时爆裂，在引线框的表面引起化学反应，藉此在引线框的表面形成大量的不规则尺寸的微凹部。
公开/授权文献
- CN101901769A 引线框的微爆处理方法 公开/授权日：2010-12-01