发明公开
- 专利标题: 一种电容器及其制造方法
- 专利标题(英): Capacitor and preparation method thereof
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申请号: CN200910052270.6申请日: 2009-05-31
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公开(公告)号: CN101901841A公开(公告)日: 2010-12-01
- 发明人: 向阳辉 , 刘艳 , 黄晓辉 , 曾贤成 , 荆学珍 , 郭世璧 , 庞军玲
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 郑立柱
- 主分类号: H01L29/92
- IPC分类号: H01L29/92 ; H01L29/43 ; H01L29/41 ; H01L21/02
摘要:
本发明提供了一MIM电容器及其制造方法,其中,所述电容器包括衬底;第一金属层,其形成于所述衬底之上;介电层,其覆盖所述第一金属层的表面;第二金属层,其形成于所述介电层的表面,其中,所述第一金属层是由多个金属颗粒连续排列而成。所述电容器的制造方法包括:提供一衬底;形成一第一金属层于所述衬底之上,使得所述第一金属层具有多个金属颗粒连续排列而成的结构;形成一介电层于所述第一金属层之上;形成一第二金属层于所述介电层之上。采用本发明提供的电容器及其制造方法,能够有效地提高MIM电容器的电容密度,并且工艺简单便捷,功耗较小。
公开/授权文献
- CN101901841B 一种电容器及其制造方法 公开/授权日:2013-03-13
IPC分类: