发明授权
CN101903995B 用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片
- 专利标题(英): Method for producing semiconductor chips and corresponding semiconductor chip
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申请号: CN200880122155.5申请日: 2008-12-08
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公开(公告)号: CN101903995B公开(公告)日: 2012-08-22
- 发明人: 斯特凡·伊莱克
- 申请人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 申请人地址: 德国雷根斯堡
- 专利权人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人: 欧司朗光电半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 德国雷根斯堡
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 王艳江; 张春水
- 优先权: 102007061469.3 2007.12.20 DE; 102008014121.6 2008.03.13 DE
- 国际申请: PCT/DE2008/002056 2008.12.08
- 国际公布: WO2009/079982 DE 2009.07.02
- 进入国家日期: 2010-06-21
- 主分类号: H01L21/68
- IPC分类号: H01L21/68 ; H01L21/50 ; H01S5/10 ; H01L21/58 ; H01L21/60 ; H01S5/02
摘要:
本发明涉及一种用于制造多个半导体芯片(1)的方法。在衬底(8)上提供多个半导体本体(2),其中所述半导体本体(2)通过间隙(25)相互隔开。提供具有多个突起部(35)的结构化载体(33)。将所述结构化载体(33)相对于所述衬底(8)定位成,使得所述结构化载体(33)的所述突起部延伸到所述半导体本体(2)之间的所述间隙(25)内,由此形成机械稳定的合成体(38),所述合成体(38)包括所述衬底(8)和所述结构化载体(33)。将所述合成体(38)分割成多个半导体芯片(1)。此外,本发明涉及一种半导体芯片。
公开/授权文献
- CN101903995A 用于制造半导体芯片的方法以及半导体芯片 公开/授权日:2010-12-01
IPC分类: