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公开(公告)号：CN104040738B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201280063569.1
申请日：2012-11-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L21/321
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提出一种用于制造多个光电子半导体芯片(1)的方法，其中提供层复合结构(10)，所述层复合结构具有主平面(3)和半导体层序列(2)，所述主平面沿竖直方向对层复合结构(10)限界，所述半导体层序列具有设置为用于产生和/或检测辐射的有源区(20)，其中在层复合结构(10)中构成有多个凹部(31)，所述凹部从主平面(3)沿朝向有源区(20)的方向延伸。在主平面(3)上构成平坦化层，使得凹部至少部分地由平坦化层(6)的材料来填充。平坦化层(6)的材料至少局部地被移除以平整平坦化层。制成半导体芯片(1)，其中对于半导体芯片(1)而言至少一个半导体本体(200)从半导体层序列(2)中产生。此外本发明提出一种光电子半导体芯片。
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公开(公告)号：CN105210202A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026324.0
申请日：2014-05-05
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要： 提出一种发射辐射的半导体器件，其具有-至少一个具有半导体层序列(200)的半导体芯片(2)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；-安装面(11)，在所述安装面上构成有用于外部接触半导体芯片的至少一个电接触部(51，52)，其中安装面平行于半导体层序列的主延伸平面伸展；-辐射出射面(10)，所述辐射出射面倾斜于或垂直于安装面伸展；-辐射引导层(3)，所述辐射引导层设置在半导体芯片和辐射出射面之间的光路中；和-反射器本体(4)，所述反射器本体局部地邻接于辐射引导层并且在半导体器件的俯视图中遮盖半导体芯片。此外，提出一种用于制造发射辐射的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104221173A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380018936.0
申请日：2013-02-28
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/64 , H01L25/075 , H01L33/54
CPC分类号： H01L33/54 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2924/00 , H01L33/0095
摘要： 提出一种发光半导体器件(100，200，300)，其具有：发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列(17)、光耦合输出面(11)、与光耦合输出面(11)相对置的后侧面(12)和侧面(13)；并且具有带有成形体(20)的载体本体(2)，所述成形体形状配合地且直接地覆盖侧面(13)，其中在后侧面(12)上构成两个电接触层(14)和热接触层(15)，其中热接触层(15)与电接触层(14)和半导体层序列(17)电绝缘，其中载体本体(2)在后侧面(12)上具有与电接触层(14)直接接触的电连接元件(24)和与热接触层(15)直接接触的热连接元件(25)，并且其中热连接元件(25)至少部分地形成半导体器件(100，200，300)的背离半导体芯片(1)的安装面(22)。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101796656B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200880021681.2
申请日：2008-04-25
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 斯特凡·伊莱克 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 亚历山大·海因德尔 , 帕特里克·罗德 , 迪特尔·艾斯勒
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种光电子器件，其带有：半导体本体(2)，其具有带有适于产生辐射的有源区(4)的半导体层序列；设置在半导体本体上的反射器层(72)；以及两个电接触部(7，8)，其中两个接触部的第一接触部(7)在有源区的朝向反射器层的侧上与半导体本体导电连接，两个接触部的第二接触部(8)在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接，并且反射器层设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。
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公开(公告)号：CN104364921B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380028916.1
申请日：2013-05-15
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 斯特凡·伊莱克
IPC分类号： H01L33/62
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/64 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2933/0075 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
摘要： 一种光电子模块(202，204，206，208，210，212，214，216)具有至少一个用于发射电磁辐射(118)的半导体芯片(104)。半导体芯片(104)具有：第一导电性的、尤其是p型导电性的层(120)；第二导电性的、尤其是n型导电性的层(124)；放射面(108)和与放射面(108)相对置的接触面(106)。在放射面(108)上施加有接触部(110，117)。由浇注料(102)构成的框架侧向地至少局部地包围半导体芯片(104)，使得放射面(108)和接触面(106)基本上不具有浇注料(102)。第一接触结构(114)至少局部地设置在框架(103)上并且至少局部地设置在接触面(106)上并且用于电接触第一导电性的层(120)。第二接触结构(116，138)至少局部地设置在框架(103)上并且至少局部地设置在放射面(108)的接触部(110，117)上并且用于电接触第二导电性的层(124)。
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公开(公告)号：CN103460277B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280017303.3
申请日：2012-03-01
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： G09G3/34
CPC分类号： G09G3/3208 , G09G3/32 , H01L25/0753
摘要： 本发明提出一种显示装置，所述显示装置具有：-多个像素（1），-至少一个连接载体（2），以及-多个无机的发光二极管芯片（3），其中-连接载体（2）包括多个开关（21），-每个像素（1）包含至少一个发光二极管芯片（3），-每个发光二极管芯片（3）机械固定且电连接在连接载体（2）上，-每个开关（21）建立为用于控制至少一个发光二极管芯片（3），以及-发光二极管芯片（3）是显示装置的成像元件。
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公开(公告)号：CN104040738A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280063569.1
申请日：2012-11-12
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L21/321
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L33/005 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提出一种用于制造多个光电子半导体芯片(1)的方法，其中提供层复合结构(10)，所述层复合结构具有主平面(3)和半导体层序列(2)，所述主平面沿竖直方向对层复合结构(10)限界，所述半导体层序列具有设置为用于产生和/或检测辐射的有源区(20)，其中在层复合结构(10)中构成有多个凹部(31)，所述凹部从主平面(3)沿朝向有源区(20)的方向延伸。在主平面(3)上构成平坦化层，使得凹部至少部分地由平坦化层(6)的材料来填充。平坦化层(6)的材料至少局部地被移除以平整平坦化层。制成半导体芯片(1)，其中对于半导体芯片(1)而言至少一个半导体本体(200)从半导体层序列(2)中产生。此外本发明提出一种光电子半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101796656A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880021681.2
申请日：2008-04-25
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 斯特凡·伊莱克 , 安德烈亚斯·普洛斯尔 , 亚历山大·海因德尔 , 帕特里克·罗德 , 迪特尔·艾斯勒
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种光电子器件，其带有：半导体本体(2)，其具有带有适于产生辐射的有源区(4)的半导体层序列；设置在半导体本体上的反射器层(72)；以及两个电接触部(7，8)，其中两个接触部的第一接触部(7)在有源区的朝向反射器层的侧上与半导体本体导电连接，两个接触部的第二接触部(8)在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接，并且反射器层设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。
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公开(公告)号：CN105934834B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201580005757.2
申请日：2015-01-16
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
摘要： 提出一种用于制造半导体器件(100)的方法，其中提供载体(1)，所述载体具有第一绝缘层(12)、由第一绝缘层至少局部地覆盖的镜层(13)和联接元件(41)，其中载体具有露出的、平坦的安装面(11)并且联接元件穿过第一绝缘层延伸至安装面。此外提供主体(2)，所述主体具有半导体本体(20)、第二绝缘层(22)和用于电接触半导体本体的接触元件(42)，其中主体具有露出的、平坦的接触面(21)并且接触元件穿过第二绝缘层延伸至接触面。主体与载体连接，其中平坦的接触面与平坦的安装面汇聚以形成连接面(3)并且接触元件和联接元件彼此电连接。此外提出一种这样的半导体器件，其中镜层构成为是平的，在俯视图中侧向突出于主体，并且连接面(3)不具有连接材料。
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公开(公告)号：CN105210202B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201480026324.0
申请日：2014-05-05
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/24 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2224/4554
摘要： 提出一种发射辐射的半导体器件，其具有‑至少一个具有半导体层序列(200)的半导体芯片(2)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑安装面(11)，在所述安装面上构成有用于外部接触半导体芯片的至少一个电接触部(51，52)，其中安装面平行于半导体层序列的主延伸平面伸展；‑辐射出射面(10)，所述辐射出射面倾斜于或垂直于安装面伸展；‑辐射引导层(3)，所述辐射引导层设置在半导体芯片和辐射出射面之间的光路中；和‑反射器本体(4)，所述反射器本体局部地邻接于辐射引导层并且在半导体器件的俯视图中遮盖半导体芯片。此外，提出一种用于制造发射辐射的半导体器件的方法。
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