一种双极晶体管、双极晶体管的形成方法以及包含双极晶体管的虚拟接地电路，和二倍带隙基准电路，其中，所述双极晶体管包括：绝缘体上硅，基区、发射区和集电区，基区栅介质层，位于顶层硅上对应于基区位置；多晶硅层，位于基区栅介质层上；发射极，通过第一接触孔与发射区电学连接；集电极，通过第二接触孔与集电区电学连接；基区控制电极，通过第三接触孔与多晶硅层电学连接，所述多晶硅层的导电类型与基区相同，与发射区和集电区相反。形成这种双极晶体管的工艺与传统的标准CMOS工艺完全兼容；而且双极晶体管的发射区/集电区结电容较小，通过在基区控制电极上施加电压形成基区电流，无需额外基区接触孔工艺，具有较小的输入电容。