真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
摘要:
本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法,属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层,使用真空蒸发系统,采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中,ITO玻璃衬底温度控制为150℃~160℃,真空压力为2~3×10-3Pa,衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右,控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000~1200℃;蒸发过程完成后,进入真空管式退火炉进行退火,退火的温度分别选择为300℃,400℃和500℃。本发明方法工艺简单,薄膜制备的效率高,制得的薄膜具有良好的电学和光学性能,适合应用于太阳能电池。
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