发明公开
- 专利标题: 真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
- 专利标题(英): Method for preparing ZnS/SnS double-layer membrane by vacuum evaporation
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申请号: CN201010527964.3申请日: 2010-11-02
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公开(公告)号: CN101979704A公开(公告)日: 2011-02-23
- 发明人: 史伟民 , 武文军 , 聂磊 , 陈洁利 , 张小丽 , 刘晟 , 马磊 , 淤凡枫 , 胡喆 , 黄璐 , 孙杰 , 陈振一 , 周杰
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 上海上大专利事务所
- 代理商 顾勇华
- 主分类号: C23C14/26
- IPC分类号: C23C14/26 ; C23C14/06 ; C23C14/58
摘要:
本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法,属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层,使用真空蒸发系统,采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中,ITO玻璃衬底温度控制为150℃~160℃,真空压力为2~3×10-3Pa,衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右,控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000~1200℃;蒸发过程完成后,进入真空管式退火炉进行退火,退火的温度分别选择为300℃,400℃和500℃。本发明方法工艺简单,薄膜制备的效率高,制得的薄膜具有良好的电学和光学性能,适合应用于太阳能电池。