公开(公告)号：CN102456768A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010527713.5

申请日：2010-11-02

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  武文军 ,  周杰 ,  黄璐 ,  淤凡枫 ,  马磊 ,  聂磊

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/35

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种含有ZnO:Al窗口层的ZnO/SnS太阳能电池元件的制备方法，属太阳能电池元件制造工艺技术领域，本发明的太阳能电池元件为多层结构，包括有：涂有ITO膜的玻璃衬底基材，ZnO:Al膜窗口层，作为N层的ZnO层，作为P层的SnS，及最上层的Al膜电极；主要的一层为窗口层ZnO:Al，采用传统通用的JC500—3/D型射频磁控溅射装置来制备ZnO:Al薄膜；溅射的工艺条件为：溅射功率为100W~200W，工作真空气压为0.3Pa~0.9Pa，温度为室温，溅射时间为40~120分钟，靶基距为8cm。该薄膜是有较好的透明导电性很红外反射功率。

公开(公告)号：CN101979704A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN201010527964.3

申请日：2010-11-02

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  武文军 ,  聂磊 ,  陈洁利 ,  张小丽 ,  刘晟 ,  马磊 ,  淤凡枫 ,  胡喆 ,  黄璐 ,  孙杰 ,  陈振一 ,  周杰

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。

公开(公告)号：CN101962752A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010524867.9

申请日：2010-10-29

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  武文军 ,  聂磊 ,  陈洁利 ,  张小丽 ,  刘晟 ,  马磊 ,  淤凡枫 ,  胡喆 ,  黄璐 ,  孙杰 ,  陈振一 ,  周杰

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。