- 专利标题: 一种GaAsHBT双边沿触发流水线累加器
- 专利标题(英): Double-edge-trigger pipeline accumulator structure of GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT)
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申请号: CN200910091373.3申请日: 2009-08-19
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公开(公告)号: CN101996064B公开(公告)日: 2012-04-18
- 发明人: 刘新宇 , 陈高鹏 , 吴旦昱 , 金智 , 武锦
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 周国城
- 主分类号: G06F7/501
- IPC分类号: G06F7/501
摘要:
本发明公开了一种GaAs HBT双边沿触发流水线累加器,该累加器为一由N级1-bit全加器并行构成的流水线结构,N为大于2的自然数,每一级1-bit全加器完成累加运算之后向外部输出累加之和,并且向下一级1-bit全加器输出进位信号。利用本发明,在每个时钟周期内可以进行两次累加运算,从而实际上将累加器的速度提升为时钟频率两倍,大幅提升了累加器的速度。
公开/授权文献
- CN101996064A 一种GaAsHBT双边沿触发流水线累加器结构 公开/授权日:2011-03-30
IPC分类: