发明公开
- 专利标题: 功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法
- 专利标题(英): Power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) and manufacturing method thereof
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申请号: CN200910260632.0申请日: 2009-12-18
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公开(公告)号: CN102104071A公开(公告)日: 2011-06-22
- 发明人: 张翊麒 , 吴嘉连
- 申请人: 杰力科技股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元街32号2楼之1
- 专利权人: 杰力科技股份有限公司
- 当前专利权人: 杰力科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹县竹北市台元街32号2楼之1
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 刘芳
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L23/528 ; H01L21/336 ; H01L21/768 ; H01L27/088 ; H01L21/8234
摘要:
本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法。沟渠配置在主体层及磊晶层中。隔离结构配置于沟渠的一侧的基底上。氧化物层配置于沟渠的表面。第一导体层填入沟渠并延伸至隔离结构上。介电层配置于第一导体层及隔离结构上,且具有曝露第一导体层的开口。至少一源极区配置于沟渠的另一侧的主体层中。第二导体层配置于介电层上,且与源极区电性连接,但与第一导体层通过介电层而电性隔绝。第三导体层配置于介电层上,且经介电层的开口与第一导体层电性连接,其中第二导体层与第三导体层分开。
公开/授权文献
- CN102104071B 功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法 公开/授权日:2013-01-23