公开(公告)号：CN102104071B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200910260632.0

申请日：2009-12-18

申请人： 杰力科技股份有限公司

发明人： 张翊麒 ,  吴嘉连

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法。沟渠配置在主体层及磊晶层中。隔离结构配置于沟渠的一侧的基底上。氧化物层配置于沟渠的表面。第一导体层填入沟渠并延伸至隔离结构上。介电层配置于第一导体层及隔离结构上，且具有曝露第一导体层的开口。至少一源极区配置于沟渠的另一侧的主体层中。第二导体层配置于介电层上，且与源极区电性连接，但与第一导体层通过介电层而电性隔绝。第三导体层配置于介电层上，且经介电层的开口与第一导体层电性连接，其中第二导体层与第三导体层分开。

公开(公告)号：CN102082125B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200910246513.X

申请日：2009-11-30

申请人： 杰力科技股份有限公司

发明人： 张翊麒 ,  吴嘉连

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法。在具有第一导电型的基底上形成具有第一导电型的磊晶层。在磊晶层中形成具有第二导电型的主体层。在基底上形成多数个罩幕图案。在罩幕图案之间的主体层及磊晶层中形成多数个沟渠。在沟渠的表面形成氧化物层。在沟渠中形成导体层。对罩幕图案进行削减制程，以缩小各罩幕图案的线宽。以经削减的罩幕图案为罩幕，在各沟渠的两侧的主体层中形成具有第一导电型的二源极区。在导体层上及经削减的罩幕图案之间形成多数个介电图案。移除经削减的罩幕图案。

公开(公告)号：CN102082125A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200910246513.X

申请日：2009-11-30

申请人： 杰力科技股份有限公司

发明人： 张翊麒 ,  吴嘉连

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管的制造方法。在具有第一导电型的基底上形成具有第一导电型的磊晶层。在磊晶层中形成具有第二导电型的主体层。在基底上形成多数个罩幕图案。在罩幕图案之间的主体层及磊晶层中形成多数个沟渠。在沟渠的表面形成氧化物层。在沟渠中形成导体层。对罩幕图案进行削减制程，以缩小各罩幕图案的线宽。以经削减的罩幕图案为罩幕，在各沟渠的两侧的主体层中形成具有第一导电型的二源极区。在导体层上及经削减的罩幕图案之间形成多数个介电图案。移除经削减的罩幕图案。

公开(公告)号：CN102104071A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910260632.0

申请日：2009-12-18

申请人： 杰力科技股份有限公司

发明人： 张翊麒 ,  吴嘉连

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法。沟渠配置在主体层及磊晶层中。隔离结构配置于沟渠的一侧的基底上。氧化物层配置于沟渠的表面。第一导体层填入沟渠并延伸至隔离结构上。介电层配置于第一导体层及隔离结构上，且具有曝露第一导体层的开口。至少一源极区配置于沟渠的另一侧的主体层中。第二导体层配置于介电层上，且与源极区电性连接，但与第一导体层通过介电层而电性隔绝。第三导体层配置于介电层上，且经介电层的开口与第一导体层电性连接，其中第二导体层与第三导体层分开。