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公开(公告)号：CN113035931B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202010113782.5
申请日：2020-02-24
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法。所述器件包括基板、具有第一导电型的外延层、位于外延层中的沟槽内的栅极、栅氧化层、具有第一导电型的源极区、具有第二导电型的本体区与抗击穿掺杂区。抗击穿掺杂区是位于本体区与源极区的界面，且其掺杂浓度高于本体区的掺杂浓度。外延层具有接近源极区的第一pn结和接近基板的第二pn结。以两个pn结之间划分为N等分的N个区域，N是大于1的整数。所述N个区域内的掺杂浓度愈接近第一pn结愈大。所述N个区域分别具有一掺杂浓度积分面积，且所述N个区域中愈接近第一pn结的区域的掺杂浓度积分面积愈大。通过抗击穿掺杂区使该处具有陡峭的浓度分布，因此改善器件的UIS能力。
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公开(公告)号：CN111370300A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910141595.5
申请日：2019-02-26
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构的制造方法，包括在基板上依序形成一信道层、一阻障层、一掺杂氮化镓层、一未掺杂氮化镓层以及一绝缘层，再移除部分绝缘层，以形成一沟槽。在所述基板上形成一栅极金属层，覆盖绝缘层与沟槽，然后在栅极金属层上形成对准沟槽的一掩膜层，其中掩膜层与绝缘层部分重叠。利用所述掩膜层作为蚀刻掩膜，去除暴露出的栅极金属层及其下方的绝缘层、未掺杂氮化镓层以及掺杂氮化镓层，之后移除掩膜层。
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公开(公告)号：CN110557005A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810781346.8
申请日：2018-07-17
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明提供一种电压转换电路及其控制电路。控制电路包括比较器、时脉产生器以及升压电路。比较器对输入电压的电压值与输出电压的电压值进行比较，以产生比较信号。时脉产生器依据比较信号产生时脉信号，使得时脉信号在第一时间区间具有第一频率，且在第二时间区间具有第二频率，其中第一频率高于第二频率，且第一时间区间发生在第二时间区间之前。升压电路接收时脉信号。升压电路在第一时间区间依据第一驱动能力拉高驱动开关的控制信号，并在第二时间区间依据第二驱动能力产生控制信号，其中第一驱动能力大于第二驱动能力。
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公开(公告)号：CN104009628B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310057304.7
申请日：2013-02-22
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H02M3/155
摘要： 本发明提供一种电压转换器，包括固定导通时间信号产生器、第一晶体管、第二晶体管、电感以及涟波注入电路。固定导通时间信号产生器产生第一驱动信号以及第二驱动信号。涟波注入电路接收输出信号产生涟波注入信号。其中，固定导通时间信号产生器依据涟波注入信号、输出信号以及参考信号以产生第一及第二驱动信号。
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公开(公告)号：CN103840661A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210478917.3
申请日：2012-11-22
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H02M3/155
摘要： 一种降压式电源转换器，包括功率晶体管、电感、第一二极管以及抗震铃电路。功率晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收输入电压，其控制端接收脉宽调制信号。抗震铃电路依据检测功率晶体管的第二端上的检测电压，并依据检测电压以提供至少一第二二极管以顺向偏压的方式串接在功率晶体管的第二端与参考接地端间以箝制检测电压的电压值。
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公开(公告)号：CN102378442B
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201010262832.2
申请日：2010-08-23
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H05B37/02 , H05B37/03 , F21S4/00 , F21V23/00 , F21Y101/02
摘要： 本发明提供一种发光二极管模组驱动装置及发光二极管模组，此发光二极管模组驱动装置包括电压转换单元、发光二极管模组电压侦测单元及切换信号产生单元。电压转换单元根据切换信号产生驱动电压，以驱动发光二极管模组。发光二极管模组电压侦测单元将驱动电压分压，以产生比较电压。切换信号产生单元利用故障侦测脚位以接收比较电压，并比较参考电压及比较电压以禁能或致能切换信号。并且当切换信号禁能后，切换信号产生单元还可拉高故障侦测脚位上的电压准位至逻辑高准位电压，以产生故障通知信号，以使故障侦测脚位兼具故障通知的功能。
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公开(公告)号：CN103426910A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210284342.1
申请日：2012-08-10
申请人： 杰力科技股份有限公司
发明人： 刘莒光
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0661 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/8725
摘要： 本发明提供一种沟槽式功率半导体元件及边缘终端结构，该边缘终端结构包括一基板、分别位在基板的表面和背面的第一与第二电极、一第一场板与一第二场板。沟槽式功率半导体元件包括一有源区与一边缘终端区，且在有源区旁的边缘终端区的基板表面具有一沟槽。第一场板则是设置于上述沟槽的侧壁并往其尾部延伸，且第一场板至少包括一L形电板、位于L形电板底下的一栅极绝缘层以及L形电板上的第一电极。第二场板至少包括一绝缘层与其上方的第一电极，其中绝缘层是覆盖沟槽的尾部并至少延伸覆盖L形电板的尾端。
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公开(公告)号：CN102104071B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200910260632.0
申请日：2009-12-18
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/528 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L27/088 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种功率金氧半导体场效晶体管及其制造方法。沟渠配置在主体层及磊晶层中。隔离结构配置于沟渠的一侧的基底上。氧化物层配置于沟渠的表面。第一导体层填入沟渠并延伸至隔离结构上。介电层配置于第一导体层及隔离结构上，且具有曝露第一导体层的开口。至少一源极区配置于沟渠的另一侧的主体层中。第二导体层配置于介电层上，且与源极区电性连接，但与第一导体层通过介电层而电性隔绝。第三导体层配置于介电层上，且经介电层的开口与第一导体层电性连接，其中第二导体层与第三导体层分开。
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公开(公告)号：CN111370471B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910141573.9
申请日：2019-02-26
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/778
摘要： 本发明提供一种氮化镓高电子移动率晶体管的栅极结构，包括一异质结构、一掺杂氮化镓层、一绝缘层、一未掺杂氮化镓层以及一栅极金属层。异质结构包括一信道层与位于所述信道层上的一阻障层。掺杂氮化镓层位于所述阻障层上，绝缘层则位于掺杂氮化镓层的顶部的两侧边，且未掺杂氮化镓层是位于掺杂氮化镓层与绝缘层之间。栅极金属层则位于掺杂氮化镓层上，并覆盖绝缘层与未掺杂氮化镓层。所述未掺杂氮化镓层能保护其下的掺杂氮化镓层，而绝缘层则具有防止栅极漏电的效果。
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公开(公告)号：CN112882528B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010102239.5
申请日：2020-02-19
申请人： 杰力科技股份有限公司
IPC分类号： G05F3/26
摘要： 本发明提供一种负载开关的控制电路，其包括电荷泵电路、振荡器以及电流信号产生器。电荷泵电路依据时脉信号以产生控制信号。负载开关依据控制信号以导通或断开。振荡器依据控制电流以产生时脉信号。电流信号产生器提供一电阻串以接收电源电压。电流信号产生器的电阻串依据电源电压以产生感测电流或感测电压。电流信号产生器并依据感测电流的倒数或感测电压的平方以产生控制电流。其中，时脉信号的频率与电源电压的电压值呈负相关。
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