一种带有高衬底-漏极击穿和嵌入式雪崩箝位二极管的横向超级结器件

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CN102130181B 一种带有高衬底-漏极击穿和嵌入式雪崩箝位二极管的横向超级结器件有权转让

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专利标题： 一种带有高衬底-漏极击穿和嵌入式雪崩箝位二极管的横向超级结器件
专利标题（英）： Lateral super junction device with high substrate-drain breakdwon and built-in avalanche clamp diode
申请号： CN201010577652.3

申请日： 2010-11-29
公开(公告)号： CN102130181B

公开(公告)日： 2014-09-17
发明人: 马督儿·博德 , 安荷·叭剌 , 哈姆扎·依玛兹 , 马国荣 , 管灵鹏 , 李亦衡 , 陈军
申请人： 万国半导体股份有限公司
申请人地址： 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园475号
专利权人： 万国半导体股份有限公司
当前专利权人： 万国半导体国际有限合伙公司
当前专利权人地址： 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园475号
代理机构： 上海信好专利代理事务所
代理商 张静洁; 徐雯琼
优先权： 12/592,619 2009.11.30 US
主分类号： H01L29/80
IPC分类号： H01L29/80 ; H01L29/808 ; H01L29/06 ; H01L21/337

摘要：

本发明提出了横向功率器件的结构和制备方法，该器件包括一个带有形成在漏极和栅极之间的雪崩箝位二极管的超级结结构。该横向超级结结构降低了导通电阻，包括雪崩箝位二极管和N缓冲区在内的结构调整，增大了衬底和漏极之间的击穿电压，增强了非箝位感应开关(UIS)性能。

摘要（英）：

This invention discloses configurations and methods to manufacture lateral power device including a super-junction structure with an avalanche clamp diode formed between the drain and the gate. The lateral super-junction structure reduces on-resistance, while the structural enhancements, including an avalanche clamping diode and an N buffer region, increase the breakdown voltage between substrate and drain and improve unclamped inductive switching (UIS) performance.

公开/授权文献

CN102130181A 一种带有高衬底-漏极击穿和嵌入式雪崩箝位二极管的横向超级结器件公开/授权日：2011-07-20

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/80	.....由PN结或其他整流结栅产生场效应的