公开(公告)号：CN102148159B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201010620244.1

申请日：2010-12-21

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 陈军 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  何佩天 ,  马国荣 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。

公开(公告)号：CN102130181B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201010577652.3

申请日：2010-11-29

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 马督儿·博德 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  马国荣 ,  管灵鹏 ,  李亦衡 ,  陈军

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出了横向功率器件的结构和制备方法，该器件包括一个带有形成在漏极和栅极之间的雪崩箝位二极管的超级结结构。该横向超级结结构降低了导通电阻，包括雪崩箝位二极管和N缓冲区在内的结构调整，增大了衬底和漏极之间的击穿电压，增强了非箝位感应开关(UIS)性能。

公开(公告)号：CN102148159A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010620244.1

申请日：2010-12-21

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 陈军 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  何佩天 ,  马国荣 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。

公开(公告)号：CN102130181A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010577652.3

申请日：2010-11-29

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 马督儿·博德 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  马国荣 ,  管灵鹏 ,  李亦衡 ,  陈军

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出了横向功率器件的结构和制备方法，该器件包括一个带有形成在漏极和栅极之间的雪崩箝位二极管的超级结结构。该横向超级结结构降低了导通电阻，包括雪崩箝位二极管和N缓冲区在内的结构调整，增大了衬底和漏极之间的击穿电压，增强了非箝位感应开关(UIS)性能。

公开(公告)号：CN104485359B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410786448.0

申请日：2010-12-21

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 陈军 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  何佩天 ,  马国荣 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 一种自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法。本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。

公开(公告)号：CN104485359A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410786448.0

申请日：2010-12-21

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 陈军 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  何佩天 ,  马国荣 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

摘要： 一种自对准电荷平衡的功率双扩散金属氧化物半导体制备方法。本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。