公开(公告)号：CN108400161A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810174457.2

申请日：2011-05-25

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  陈军 ,  伍时谦 ,  李文军

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。

公开(公告)号：CN104377238B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410765884.X

申请日：2011-02-28

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  马督儿·博德 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  王晓彬 ,  陈军 ,  安荷·叭剌

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提出了一种沉积在第一导电类型的半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体衬底承载着一个第二导电类型的外延层，其中半导体功率器件就位于超级结结构上。该超级结结构包含从外延层中的顶面上打开的多个沟槽；其中每个沟槽的沟槽侧壁都用第一导电类型的第一外延层覆盖，以便中和第二导电类型的外延层的电荷。第二外延层可以生长在第一外延层上方。每个沟槽都在一个剩余的沟槽缝隙空间内，用非掺杂的电介质材料填充。每个沟槽侧壁都带有一个倾斜角，以构成会聚的U‑型沟槽。

公开(公告)号：CN105355653A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510679551.X

申请日：2011-05-25

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  陈军 ,  伍时谦 ,  李文军

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。

公开(公告)号：CN102270662B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110152215.1

申请日：2011-05-25

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  陈军 ,  伍时谦 ,  李文军

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

摘要： 本发明提出了一种含有多个沉积在半导体衬底的顶面附近的顶部接线端的半导体功率器件。每个顶部接线端都由一个端子接触层构成，作为半导体衬底的顶面附近的硅化物接触层。半导体功率器件的沟槽栅极从半导体衬底的顶面打开，每个沟槽栅极都由硅化层构成，作为一个凹陷的硅化物接触层，沉积在每个沟槽栅极上方，沟槽栅极周围的半导体衬底的顶面稍下。

公开(公告)号：CN102623501B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210022166.4

申请日：2012-01-13

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 陈军

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 一种形成在具有衬底顶面的半导体衬底上的半导体器件，包含：一个从衬底顶面延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；一个在栅极沟槽中的栅极电极；一个沉积在栅极电极上方的电介质材料；一个在栅极沟槽附近的本体区；一个嵌在本体区中的源极区，至少一部分源极区延伸到电介质材料上方；一个接触沟槽，使源极区和本体区之间能进行电气等接触；以及一个沉积在至少一部分栅极沟槽开口、至少一部分源极区以及至少一部分接触沟槽上方的金属层。

公开(公告)号：CN102148159B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201010620244.1

申请日：2010-12-21

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 陈军 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  何佩天 ,  马国荣 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明提出了自对准电荷平衡的半导体器件以及制备这种器件的方法。一个或多个平面栅极形成在第一导电类型的半导体衬底上方。刻蚀半导体中的一个或多个深沟槽，自对准到平面栅极。用第二导电类型的半导体材料填充沟槽，使深沟槽与半导体衬底的邻近区域达到电荷平衡。该工艺可以制备单元间距小于12微米的自对准电荷平衡的器件。

公开(公告)号：CN102130181B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201010577652.3

申请日：2010-11-29

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 马督儿·博德 ,  安荷·叭剌 ,  哈姆扎·依玛兹 ,  马国荣 ,  管灵鹏 ,  李亦衡 ,  陈军

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L21/337

CPC分类号： H01L27/0705 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/808 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提出了横向功率器件的结构和制备方法，该器件包括一个带有形成在漏极和栅极之间的雪崩箝位二极管的超级结结构。该横向超级结结构降低了导通电阻，包括雪崩箝位二极管和N缓冲区在内的结构调整，增大了衬底和漏极之间的击穿电压，增强了非箝位感应开关(UIS)性能。

公开(公告)号：CN103367444A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310086902.7

申请日：2013-03-19

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 雪克·玛力卡勒强斯瓦密 ,  陈军 ,  胡永中

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 一种形成在半导体衬底上的顶部漏极横向扩散金属氧化物场效应半导体（TD-LDMOS）器件。该顶部漏极LDMOS包括一个设置在半导体衬底底面上的源极电极。该顶部漏极LDMOS还包括一个源极区和一个漏极区，设置在平面栅极的两个对边上，平面栅极设置在半导体衬底的顶面上，其中源极区包围在本体区中，构成一个漂流区，作为平面栅极下方的源极区和漏极区之间的横向电流通道。该顶部漏极LDMOS还包括至少一个用导电材料填充的沟槽，从顶面附近的本体区开始，垂直向下延伸，以电接触设置在半导体衬底底面上的源极电极。

公开(公告)号：CN102768994A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210138850.9

申请日：2012-04-23

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 苏毅 ,  伍时谦 ,  安荷·叭剌 ,  常虹 ,  金钟五 ,  陈军

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L29/7801 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/782 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及一种在功率MOSFET内集成肖特基二极管。半导体器件包括多个沟槽，多个沟槽含有在有源区中的有源栅极沟槽，以及在有源区外部的截止区中的栅极滑道/截止沟槽和屏蔽电极吸引沟槽。栅极滑道/截止沟槽包括限定位于有源区外部的台面结构的一个或多个沟槽。第一导电区形成于多个沟槽中。中间电介质区和截止保护区形成于限定台面结构的沟槽中。第二导电区形成于限定台面结构的那部分沟槽中。第二导电区通过中间电介质区，与第一导电区电绝缘。到第二导电区形成第一电接触，到屏蔽电极吸引沟槽中第一导电区形成第二电接触。一个或多个肖特基二极管形成于台面结构中。

公开(公告)号：CN102194880A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110054042.X

申请日：2011-02-28

申请人： 万国半导体股份有限公司

发明人： 哈姆扎·依玛兹 ,  马督儿·博德 ,  李亦衡 ,  管灵鹏 ,  王晓彬 ,  陈军 ,  安荷·叭剌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构及制备方法提出了一种沉积在第一导电类型的半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体衬底承载着一个第二导电类型的外延层，其中半导体功率器件就位于超级结结构上。该超级结结构包含从外延层中的顶面上打开的多个沟槽；其中每个沟槽的沟槽侧壁都用第一导电类型的第一外延层覆盖，以便中和第二导电类型的外延层的电荷。第二外延层可以生长在第一外延层上方。每个沟槽都在一个剩余的沟槽缝隙空间内，用非掺杂的电介质材料填充。每个沟槽侧壁都带有一个倾斜角，以构成会聚的U-型沟槽。