发明授权
- 专利标题： 半导体组件、半导体元件及其制法
- 专利标题（英）： Semiconductor assembly, semiconductor device and manufacturing method
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申请号： CN201010213358.4申请日： 2010-06-22
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公开(公告)号： CN102148211B公开(公告)日： 2013-04-24
- 发明人: 赖怡仁 , 韩至刚 , 詹前彬 , 简智源 , 杨怀德
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京德恒律师事务所
- 代理商 陆鑫; 高雪琴
- 优先权： 12/702,636 2010.02.09 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L21/60
摘要：
本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
公开/授权文献
- CN102148211A 半导体组件、半导体元件及其制法 公开/授权日：2011-08-10
IPC分类:
