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公开(公告)号：CN115799087A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310026404.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN108122879B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710974099.9
申请日：2017-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。
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公开(公告)号：CN102288793A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010551930.8
申请日：2010-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R1/07307 , G01R1/07314 , G01R3/00
Abstract: 一种探针卡及其制作方法以及测试半导体元件的方法，所述探针卡包括：一接触垫界面，包括多个正面接点与多个背面接点，正面接点与背面接点彼此电性连接，正面接点排列成同时电性连接一晶片上的多个芯片的各自的多个凸块，且背面接点排列成电性连接一测试结构的各自的多个接点。本发明中，探针卡接触垫界面可让探针卡接触同一晶片上的多个芯片，并可让探针卡接触同一晶片上的所有芯片。
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公开(公告)号：CN110310929A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN104916617A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410566501.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102386157B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201010602782.8
申请日：2010-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/768 , H01L21/78
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/03823 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/05006 , H01L2224/05009 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05655 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1434 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，本发明提供的一种采用裸片边缘接点的半导体元件。集成电路裸片具有沟槽的后保护层，而沟槽填有导电材料且自接点延伸至裸片边缘以形成裸片边缘接点。沿着裸片边缘，可视情况形成穿透基板通孔。这将使沟槽中的导电材料电性耦合至穿透基板通孔，以形成较大的裸片边缘接点。上述集成电路裸片可置于多重裸片封装中，且多重裸片封装的墙状物的主要表面垂直于集成电路裸片的主要表面。裸片边缘接点可电性连接至多重裸片封装的墙状物上的接点。多重裸片封装可含有边缘接点以连接至另一基板如印刷电路板、封装基板、高密度内连线、或类似物。本发明提供3D？IC封装更方便的测试接点与对抗热应力造成的集成电路龟裂。
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公开(公告)号：CN107818974B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710821674.1
申请日：2017-09-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供的一种实施例封装件包括第一封装件。第一封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂，以及位于密封剂和第一集成电路管芯上方的再分布层。该封装件还包括通过多个功能连接件接合至第一封装件的第二封装件。功能连接件和再分布层将第二封装件的第二集成电路管芯电连接至第一集成电路管芯。该封装件还包括设置在第一封装件和第二封装件之间的多个伪连接件。多个伪连接件中的每个伪连接件的朝向第一封装件的一端与第一封装件物理地分离。本发明的实施例还提供了一种形成封装件的方法。
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公开(公告)号：CN110391191A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810628042.8
申请日：2018-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明实施例提供一种叠层封装结构，包含：第一封装件、多个导电凸块、第二封装件以及底部填充胶。导电凸块设置在第一封装件的第二表面上且电连接到第一封装件。第二封装件通过导电凸块设置在第一封装件的第二表面上，且包含半导体器件以及包封半导体器件的包封材料。从包封材料的上部表面到半导体器件的上部表面的最短距离大于或大体上等于半导体器件的厚度的两倍。底部填充胶填充在第一封装件与第二封装件之间。
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公开(公告)号：CN108122879A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710974099.9
申请日：2017-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。
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公开(公告)号：CN104916579B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410443141.0
申请日：2014-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。
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