公开(公告)号：CN110957437B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201910216280.2

申请日：2019-03-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑礼辉 ,  高金福 ,  简智源 ,  卢思维

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L23/31

摘要： 一种封装结构包括衬底、管芯、粘着层、挡墙结构及包封体。所述管芯设置在所述衬底上。所述粘着层设置在所述衬底与所述管芯之间。所述粘着层具有弯曲的表面。所述挡墙结构设置在所述衬底上且被所述粘着层环绕。所述包封体包封所述管芯。

公开(公告)号：CN110957437A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910216280.2

申请日：2019-03-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑礼辉 ,  高金福 ,  简智源 ,  卢思维

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L23/31

摘要： 一种封装结构包括衬底、管芯、粘着层、挡墙结构及包封体。所述管芯设置在所述衬底上。所述粘着层设置在所述衬底与所述管芯之间。所述粘着层具有弯曲的表面。所述挡墙结构设置在所述衬底上且被所述粘着层环绕。所述包封体包封所述管芯。

公开(公告)号：CN110660750A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811196282.1

申请日：2018-10-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑礼辉 ,  高金福 ,  简智源 ,  卢思维

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29

摘要： 一种叠层封装(package-on-package，PoP)结构包括第一封装及堆叠在所述第一封装上的第二封装。所述第一封装包括管芯、多个导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述管芯包括位于后表面上的非晶层。所述导电结构环绕所述管芯。所述包封体包封所述管芯及所述导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的有源表面上且与所述导电结构及所述管芯电连接。

公开(公告)号：CN110660750B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN201811196282.1

申请日：2018-10-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑礼辉 ,  高金福 ,  简智源 ,  卢思维

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29

摘要： 一种叠层封装(package‑on‑package，PoP)结构包括第一封装及堆叠在所述第一封装上的第二封装。所述第一封装包括管芯、多个导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述管芯包括位于后表面上的非晶层。所述导电结构环绕所述管芯。所述包封体包封所述管芯及所述导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的有源表面上且与所述导电结构及所述管芯电连接。

公开(公告)号：CN102148211B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201010213358.4

申请日：2010-06-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖怡仁 ,  韩至刚 ,  詹前彬 ,  简智源 ,  杨怀德

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。

公开(公告)号：CN102148211A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010213358.4

申请日：2010-06-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖怡仁 ,  韩至刚 ,  詹前彬 ,  简智源 ,  杨怀德

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。