Invention Grant
- Patent Title: 双极晶体管
- Patent Title (English): Bipolar transistor
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Application No.: CN200980150272.7Application Date: 2009-10-16
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Publication No.: CN102246284BPublication Date: 2014-02-19
- Inventor: 安藤裕二 , 宫本广信 , 中山达峰 , 冈本康宏 , 井上隆 , 大田一树
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 孙志湧; 穆德骏
- Priority: 2008-270884 2008.10.21 JP
- International Application: PCT/JP2009/067909 2009.10.16
- International Announcement: WO2010/047281 JA 2010.04.29
- Date entered country: 2011-06-14
- Main IPC: H01L21/331
- IPC: H01L21/331 ; H01L21/205 ; H01L29/737
Abstract:
一种双极晶体管,具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上,并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上,并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上,并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1,0≤yc≤1,0<xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。
Public/Granted literature
- CN102246284A 双极晶体管 Public/Granted day:2011-11-16
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IPC分类: