公开(公告)号：CN103972284B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410042887.0

申请日：2014-01-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 大田一树 ,  安藤裕二

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。包括具有沟道层、电子供应层、源电极和漏电极的高电子迁移率晶体管，使得具有：帽层，其形成于在源电极和漏电极之间的电子供应层上，并且具有倾斜的侧表面；绝缘膜，其在帽层的上表面上具有开口部，并且覆盖其侧表面；以及，栅电极，其形成在开口部中，并且经由绝缘膜在漏电极侧的帽层的侧表面上面延伸。在漏电极侧具有突出部的栅电极可以减小峰值电场。

公开(公告)号：CN103972284A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410042887.0

申请日：2014-01-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 大田一树 ,  安藤裕二

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1029 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。包括具有沟道层、电子供应层、源电极和漏电极的高电子迁移率晶体管，使得具有：帽层，其形成于在源电极和漏电极之间的电子供应层上，并且具有倾斜的侧表面；绝缘膜，其在帽层的上表面上具有开口部，并且覆盖其侧表面；以及，栅电极，其形成在开口部中，并且经由绝缘膜在漏电极侧的帽层的侧表面上面延伸。在漏电极侧具有突出部的栅电极可以减小峰值电场。

公开(公告)号：CN103765565B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201280041237.3

申请日：2012-08-21

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 大田一树

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H03F3/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供一种半导体装置，能够抑制通过向栅极电极附近的半导体层表面注入载流子而产生的场效应晶体管的沟道狭窄。半导体装置具有：场效应晶体管，具有与半导体层连接的源极电极及漏极电极、栅极电极和场板电极，该栅极电极设置于源极电极和漏极电极之间的半导体层的表面上，该场板电极通过绝缘层设置于栅极电极附近的半导体层的表面上，该场效应晶体管将输入到栅极电极的高频信号放大，并从漏极电极进行输出；以及分压电路，对漏极电极与基准电位GND的电位差进行分压，以使场板电极的各部位达到彼此相等的电位的方式施加偏置电压，根据施加给场板电极的偏置电压抑制沟道狭窄。

公开(公告)号：CN102246283B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980150271.2

申请日：2009-10-16

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

摘要： 一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。

公开(公告)号：CN103765565A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280041237.3

申请日：2012-08-21

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 大田一树

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H03F3/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明提供一种半导体装置，能够抑制通过向栅极电极附近的半导体层表面注入载流子而产生的场效应晶体管的沟道狭窄。半导体装置具有：场效应晶体管，具有与半导体层连接的源极电极及漏极电极、栅极电极和场板电极，该栅极电极设置于源极电极和漏极电极之间的半导体层的表面上，该场板电极通过绝缘层设置于栅极电极附近的半导体层的表面上，该场效应晶体管将输入到栅极电极的高频信号放大，并从漏极电极进行输出；以及分压电路，对漏极电极与基准电位GND的电位差进行分压，以使场板电极的各部位达到彼此相等的电位的方式施加偏置电压，根据施加给场板电极的偏置电压抑制沟道狭窄。

公开(公告)号：CN102246284B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200980150272.7

申请日：2009-10-16

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 安藤裕二 ,  宫本广信 ,  中山达峰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  大田一树

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/205 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66318

摘要： 一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。

公开(公告)号：CN103383960A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310158513.0

申请日：2013-05-02

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 安藤裕二 ,  大田一树

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。

公开(公告)号：CN203312300U

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201320232332.3

申请日：2013-05-02

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 安藤裕二 ,  大田一树

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本实用新型提供一种半导体装置。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。