发明授权
- 专利标题： 用于等离子体工艺的系统
- 专利标题（英）： System for plasma process
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申请号： CN201010245442.4申请日： 2010-07-29
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公开(公告)号： CN102347207B公开(公告)日： 2014-03-19
- 发明人: 陆东 , 张建
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理商 董巍; 谢栒
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/3065 ; H01J37/32
摘要：
本发明公开了一种用于等离子体工艺的系统，该系统包括大气传送腔、真空传送腔和等离子体反应腔，该真空传送腔连接在该等离子体反应腔和该大气传送腔之间，该系统还包括至少一个抽气装置，该抽气装置的一端连接在该大气传送腔上，该抽气装置用于从大气传送腔向系统的外部进行抽气。本发明能够改善等离子体工艺中的颗粒状况，提高良品率。
公开/授权文献
- CN102347207A 用于等离子体工艺的系统 公开/授权日：2012-02-08
IPC分类:
